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1，控制可控硅的控制原理

在可控硅承受正向电压时，在控制极加一个触发脉冲即可。触发脉冲的幅值与可控硅的规格、厂家有关，一般几伏即可。脉冲宽度几毫米即可。为了触发可靠，一般都使用双脉冲或多脉冲触发。
一般情况下，主回路是用两个单相可控硅反并联来实现。也有用一只双相可控硅来实现的。控制原理，就是在g-k间加一个正向触发电压，调节触发电压移相角的大小，就可改变输出电压。

控制可控硅的控制原理

2，可控硅调压原理是什么

首先根据反馈信号调节器发出脉冲 利用脉冲来控制可控硅导通角来调节电压
可控硅调压，是利用可控硅来控制交流电的导通角。导通角越大输出电压也就越高。
用图中电路控制100—300w的电阻丝，不需要做什么改动，而如果电阻丝的功率上限达到1000w，则应将双向可控硅scr改为10a/600v，其触发电路中的电阻和电位器的取值可经实验确定，一般r的取值范围在1k—10k之间，电位器w的取值在47k—470k之间。这个图纸本身就是实用的可控硅调压装置，scr的大小决定了其可控功率的大小，而电位器w一般也都是外接的，作为调压装置的调整旋钮。
斩波

可控硅调压原理是什么

3，三相整流桥模块固态继电器电力控制板他的工作原理是什么

可控硅模块，是将多个可控硅按一定的线路集成到一个模块里，然后引出引脚，实现方便控制的功能。可控硅也就是晶闸管的别称，也可以用IGBT，gto等代替。通常用于交流整直流，直流逆变成交流的整流器或者逆变器。三相整流桥模块，通常是指的由6个二极管组成的桥堆，用于将三相交流电整成直流，不过这样的桥堆是不可控的。输出的直流电压大概在500V左右。可以控制的就需要用到可控硅了。固态继电器，是相对于一般的继电器而言的。由于它没有触电，内部有的是靠双向晶闸管，有的是靠光控晶闸管作为被控输出。作为继电器都是为了实现弱电控制强电的用途。固态继电器一般输入5-30V DC，输出220V AC，也有直流输出的，类型要具体查资料。电力控制板。。。。这个嘛，只要是电力元件做成的电路控制板，都可以这样说。要看你如何设计的了。哪儿有卖？一般一个城市都有这种元器件的电力大厦。一般深圳比较多。因为我是重庆的，我知道在两路口比较多。网上也有很多供应商。价格嘛。。。就需要谈了才知道哦。***** 到论坛,精华贴对你更有帮助的.车爸爸就是力量---->

三相整流桥模块固态继电器电力控制板他的工作原理是什么

4，双向可控硅电路工作原理求解释

你看一下双硅的等效图就会明白的 双硅跟单硅不同 控制极加的是一个交流触发电压 触发电压来自于R2和R3的分压后 经光耦控制可控硅的导通 从而控制负载工作还是停止 在这里光耦只是起到一个无触点开关的作用 即便去掉光耦 负载也能够工作 只是停止不了 所以光耦在这里就相当于电灯的一个开关 通过调整触发脉冲频率来控制可控硅的导通角 达到控制可控硅输出电压的目的
以过零触发电路作为驱动模块1、以过零触发电路作为直流调速功率放大电路的驱动模块，该模块采用光耦合隔离技术，具有结构简单，稳定性好，驱动能力强，功耗低的特点，但只能在触发信号的控制下在高压侧产生栅极驱动电压．驱动电压驱动双向可控硅通过控制触发脉冲的触发角的大小，从而实现对直流电机的调速控制。2、双硅跟单硅不同 控制极加的是一个交流触发电压 触发电压来自于R2和R3的分压后 经光耦控制可控硅的导通 从而控制负载工作还是停止 在这里光耦只是起到一个无触点开关的作用 即便去掉光耦 负载也能够工作 只是停止不了 所以光耦在这里就相当于电灯的一个开关 通过调整触发脉冲频率来控制可控硅的导通角

5，可控硅工作原理

鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。 阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。 控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。 若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。 可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。 1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。 2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。 对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。 若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。 对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏.

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