磁阻效应

磁阻效应对霍尔系数测量结果有磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转的影响。磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转，霍尔系数RH与磁场强度有关，霍尔效应伴随有各种付效应，产生的附加电位差会迭加在霍尔电位差上，减小方法：在规定了电流IS和磁场B的正、反方向后改变磁场电流方向，测四组数据，取绝对值相加除以四，误差基本上可以减小了。

磁场中的导体流过电流时，载流子会受到洛伦兹力，电流方向的载流子会垂直磁场方向发生偏转，因此电流会减小，这个效应是磁阻效应。而导体上下两端会产生一个电势差，这个效应是霍尔效应。磁阻效应更加明显原因如图。由于有较大的输出功率，故配用电路较简单，零位及性能稳定。在霍尔效应速度传感器中，当测速的靶转到霍尔效应传感器的位置，即霍尔传感器位于靶及磁铁之间，霍尔效应传感器检测到靶感应的磁通量变化。

磁阻效应沿电流方向的电阻变化。简单说就是磁阻式传感器类似霍尔元件，但是和常规霍尔的有很大的不同，常规霍尔传感器一般和磁场的感应面是垂直或者相对，而磁阻式传感器则要求与磁场平行。扩展资料：注意事项：使用中当大的直流电流流过传感器原边线圈，且次级电路没有接通电源或副边开路，则其磁路被磁化，而产生剩磁，影响测量精度（故使用时要先接通电源和测量端M），发生这种情况时，要先进行退磁处理。

所谓巨磁阻效应,是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象.巨磁阻是一种量子力学效应,它产生于层状的磁性薄膜结构.这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成.当铁磁层的磁矩相互平行时,载流子与自旋有关的散射最小,材料有最小的电阻.当铁磁层的磁矩为反平行时,与自旋有关的散射最强,材料的电阻最大.巨磁阻效应（GiantMagnetoresistance）是一种量子力学和凝聚态物理学现象,

可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到.这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关,两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值,明显大于磁化方向相同时的电阻值,电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量.巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上,具有重要的商业应用价值.巨磁阻效应自从被发现以来就被用于开发研制用于硬磁盘的体积小而灵敏的数据读出头（ReadHead）.这使得存储单字节数据所需的磁性材料尺寸大为减少,

材料的电阻会因为外加磁场而增加或减少，则称电阻的变化称为磁阻（MR）。磁阻效应是1857年由英国物理学家威廉·汤姆森发现的，它在金属里可以忽略，在半导体中则可能由小到中等。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（GMR）、庞磁阻（CMR）、穿隧磁阻（TMR）、直冲磁阻（BMR）和异常磁阻（EMR）。

霍尔效应是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应则是沿电流方向的电阻变化。磁场中的导体流过电流时，载流子会受到洛伦兹力，电流方向的载流子会垂直磁场方向发生偏转，因此电流会减小，这个效应是磁阻效应。而导体上下两端会产生一个电势差，这个效应是霍尔效应。将一块半导体或导体材料，沿Z方向加以磁场，沿X方向通以工作电流I，则在Y方向产生出电动势。

称为霍尔电压。实验表明，在磁场不太强时，电位差与电流强度I和磁感应强度B成正比，与板的厚度d成反比。即EkIB/d磁电阻效应应该是刚获诺贝尔奖的那个发现吧，我们高考刚考过。所谓磁电阻效应，是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。公式我不知道。看题目上的那个图像好像是分段函数。

巨磁阻效应（GiantMagnetoresistance）是一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。