磁阻效应

半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应，其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应，什么是巨磁电阻效应(GMR所谓巨磁阻效应,如何区分霍尔效应与磁阻效应霍尔效应是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应则是沿电流方向的电阻变化。

一、实验原理物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于铁、钻、镍及其合金等磁性金属，当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时，电阻几乎不随外加磁场变化；当外加磁场偏离金属的内部磁化方向时，此类金属的电阻发生改变，这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。二、实验装置测量地磁场装置主要包括底座、转轴，带角刻度的转盘、磁阻传感器的引线、亥姆霍磁线圈、地磁场测定仪控制主机(包括数字式电压表、5V直流电源等)三、实验步骤如下1、将磁阻传感器放置在亥姆霍兹线圈公共轴线中点，并使管脚和磁感应强度方向平行。

用亥姆霍磁线圈产生磁场作为已知量，测量磁阻传感器的灵敏度K。2、将磁阻传感器平行固定在转盘上，调整转盘至水平(可用水准器指示)。水平旋转转盘，找到传感器输出电压最大方向，这个方向就是地磁场磁感应强度的水平分量B1的方向。记录此时传感器输出电压U1后，再旋转转盘,记录传感器输出最小电压U2,由|U1U2|/2KB1，求得当地地磁场水平分量B1。

磁敏电阻有AMR原理做的GMR原理做的，当开关的话你将信号放大，比较，输出高低电平即可。GMR巨磁电阻器件可以检测20多cm，以一个小钕铁硼磁铁为感应源。更多霍尔元件、磁阻器件，GMR巨磁电阻器件、磁接近开关磁钢方面的问题，你可以qq联系我。或者电子邮件联系我。你用在什么地方的？磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的，常用InSb(锑化铟)材料加工而成。

其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的，常用InSb(锑化铟)材料加工而成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。在一个长方形半导体InSb片中，沿长度方向有电流通过时，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。

铁丁是导磁的，会改变原来的分布，比如铁的附近变强了。很明显，铁磁性物质放在磁阻传感器周围较近处，将干扰地磁场的大小，甚至干扰局部地磁场的方向，使测量结果发生异常。利用这一点可以探测铁矿。磁阻元件类似霍尔元件，但它的工作原理是利用半导体材料的磁阻效应(或称高斯效应)。与霍尔效应的区别如下；即霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应则是沿电流方向的电阻变化。

与大多数固态传感器一样，磁阻传感器的工作电路是以非平衡电桥形式输出，它直接将磁阻变化转换成电压输出。磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。磁阻效应是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。