mb10f

ASEMI两个型号接着来看一下这两款型号的具体参数：整流桥MB10S和MB10F的电性参数都是一样的：正向电流（Io）为0.8A，反向电压为1000V，正向电压（VF）为1.0V，采用GPP芯片材质，里面有4个芯片，芯片尺寸都是46MIL，它的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流（Ir）为5uA、工作温度在40~ 150℃，恢复时间（Trr）达到500ns，里面引线数量有4条。

1、当输出无电容滤波且无负载时：如果是单二极管半波整流，整流后的输出电压约为0.45×220V99V；如果是MB10F四个二极管全波整流，那么输出电压大约是0.9×220V198V。2、当输出有电容滤波且空载时：不管是半波整流还是MB10F全波整流，输出电压都是交流220V的峰值电压，大约是220×1.414311V。

如果是单二极管半波整流，整流后的输出电压约为0.45×220V99V；如果是MB10F四个二极管全波整流，那么输出电压大约是0.9×220V198V。4、当输出有电容滤波和负载时：这种情况下的输出电压无法确定。它的输出电压与负载的大小和输出滤波电容的大小有关。负载越大，输出电压越小，滤波电容越大，输出电压越大。通常，输出电压是根据经验值确定的。

型号：MB10F封装：MBF4最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A峰值正向浪涌电流（IFSM）：35A每个元件的典型热阻（ReJA）：85℃/W工作结和储存温度范围（TJ,TSTG）：55to 150℃最大瞬时正向压降（VF）：1V最大直流反向电流（IR）：5uA经过ASEMI整流桥MB10F后输出电压是多少？

一般1000V以上的电压就会损坏的，参数如下：。一般像这种整流桥，可以通过超过200雷的机测测试还是质量比较好。Mb10f整流梏可以通过280伏的电机测试都可以安全使用的。这种整流桥最大可以承受10千伏的雷击电压测试吧。MB的话，那这个一般嗯总体情况下来看的话，就是说调到6~70%左右就差不多了。这款设备整流桥一般可以通过1000次雷击测试。

整流桥MB10S和MB10F详细对比：整流桥MB10S和MB10F的电气参数相同：正向电流（Io）为1A，反向电压为1000V，正向电压（VF）为1.0V，采用GPP芯片材料，其中有4个芯片，芯片尺寸为46MIL，其浪涌电流Ifsm为30A，漏电流（Ir）为5uA，工作温度为40~ 150℃，恢复时间（Trr）为500ns，有4条引线在里面。

MB10F的脚间距2.5mm，全长4.7mm，高1.5mm，厚0.6mm，本体宽4.0mm，脚厚0.25mm。对比两者后，我们可以看出两者的区别：MB10S桥堆的高度为2.5mm，MB10F的高度为1.5mm。MB10S的厚度是1.1mm，MB10F的厚度是0.6mm，所以得出两个整流桥的参数是一样的，但是MB10F比MB10S更薄更小，比较合适适用于对整流桥尺寸要求较高的产品。

接着来看一下这两款型号的具体参数：整流桥MB10S和MB10F的电性参数都是一样的：正向电流（Io）为0.8A，反向电压为1000V，正向电压（VF）为1.0V，采用GPP芯片材质，里面有4个芯片，芯片尺寸都是46MIL，它的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流（Ir）为5uA、工作温度在40~ 150℃，恢复时间（Trr）达到500ns，里面引线数量有4条。

如是纯电阻性的，则是0.9倍也就是220*0.9198V如是电容滤波，则是1.2倍就是220*1.2264V如是电容滤波，又是空载则能达到最在值就是220*根号2220*1.41431参考资料360问答：。这个问题与桥堆后边的电路有很大的关系，如是纯电阻性的，则是0.9倍也就是220*0.9198V。如是电容滤波，则是1.2倍就是220*1.2264V。

主要作用是整流，调整电流方向。用桥堆整流是比较好的，首先是很方便，而且它内部的四个管子一般是挑选配对的，所以其性能较接近，还有就是大功率的整流时，桥堆上都可以装散热块，使工作时性能更稳定，当然使用场合不同也要选择不同的桥堆，不能只看耐压是否够，比如高频特性等。整流桥堆产品是由四只整流硅芯片作桥式连接，外用绝缘朔料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热。

他们是可以通用的规格，性能方面都差不多少，直接交替没事。这是整流桥/桥堆MB6FMB10F的详细页面，产品类型:桥堆,品牌:ELE,型号:MB6FMB10F,封装:MBF,工作温度范围:55~150(℃),批号:2018 ,针脚数:4,材料:硅(Si)。