mos管的三个极,n沟道mos管的三个极

mos管是场效应管的一种。MOS管的三个电极分别为Us=-5V,MOS管在开关电路的作用■mos管开关电路中要用到mos场效应管来代替开关，场效应管有三个极：源极s、漏极d和栅极（或叫控制极）g.工作原理是：在给源极和漏极之间加上正确极性和大小的电压（因为管型而异）后，再给g极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极，如果信号电压够大，这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。

对于CPU供电电路，由于现在的CPU功耗非常大，从低负荷到满负荷，电流的变化是非常大的。为了保证CPU能够在快速的负荷变化中，不会因为电流供应不上而歇菜，CPU供电电路要求具有非常快速的大电流响应能力。供电电路中的MOSFET，电感线圈和电容都会影响到这一能力。一个最理想的状态是，厂商使用最快速的MOSFET，高磁通量粗导线的电感线圈，以及超低ESR的输入输出电容。

不同的主板厂商，对选料的着重点不一样。甲厂商可能会选用快速的MOSFET，快速的MOSFET的开关噪声比较小，这样就可以将输入输出的电容等级下降一点。Intel的主板使用高导磁的电感磁芯（降低了线圈的损耗电流），因此它的线圈使用单根比较粗一点的就可以了。但大多数厂商会使用便宜一点的磁芯，使用三线并绕的方式来解决，这样即使损耗大一些，线圈也不会发太多的热。

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅－源极间电压vGS0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。原因是制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na 或K (制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏－源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。

MOS管只有四个引脚，即漏极、栅极、源极和衬底。NMOS和PMOS的接法是不一样的。NMOS：漏极→输出信号、栅极→输入信号、源极→低电平(或地)、衬底→低电平(或地)；PMOS：漏极→输出信号、栅极→输入信号、源极→高电平(或电源)、衬底→高电平(或电源)。

■mos管开关电路中要用到mos场效应管来代替开关，场效应管有三个极：源极s、漏极d和栅极（或叫控制极）g.工作原理是：在给源极和漏极之间加上正确极性和大小的电压（因为管型而异）后，再给g极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极，如果信号电压够大，这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。

1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。1楼的不懂装懂、误人子弟。bs！mos管是场效应管的一种。

场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器，场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换；在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。这个回答也不全面，但基本的问题已经解决了，关于如何区分的问题，还是在用到的时候根据管子的型号去查参数，不过最好在平时多了解一些常用管子型号。

击穿的结果状态一般是导通；过流的结果状态一般是断路。原来导通的，由于电流过大，承受不住发热产生高温而烧断，是过流。原来不通的，由于耐压不够或耐热不够而导通了，是击穿，被电流穿透的意思。击穿因局部漏电致局部温升、温升加剧漏电形成雪崩而造成。击穿的结果状态一般是导通；过流的结果状态一般是断路。

算一下几个值就好了，UGS6V。UDS8V。根据NMOS增强型场效应管（UGSth就说明了是增强型，电压UD>US说明是N沟道）的状态判断条件：当UGSUGSUGS(th)时，恒流区（相当于三极管放大区）；

IMG_2118。判定栅极G：将万用表拨至R×1k档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻。若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极。漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。

扩展资料：MOS管如何快速判断与好坏及引脚性能1、用10K档，内有15伏电池。可提供导通电压。2、因为栅极等效于电容，与任何脚不通，不论N管或P管都很容易找出栅极来，否则是坏管。3、利用表笔对栅源间正向或反向充电，可使漏源通或断，且由于栅极上电荷能保持，上述两步可分先后，不必同步，方便。但要放电时需短路管脚或反充。4、大都源漏间有反并二极管，应注意，及帮助判断。

电子哥用万用表，来判断MOS管的3个极性。数字万用表置电阻挡，先假设一极为G,接红笔，黑笔接一极设为S,黑笔不动，红笔接第三极，若电阻很小，假设成功，红为G，黑为S,第三极为D.反复假设测量，符合以上假设完成测试，在每次测量前都必须将三个极短路放电。