霍尔效应传感器

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霍尔传感器是根据霍尔 效应制作的磁场。霍尔 效应是磁电的一种效应。这个现象是霍尔A.H.Hall在1855-1938年研究金属的导电机理时发现的。后来发现这种效应也存在于半导体的导电流体中，而半导体的霍尔-2/比金属的强得多。由这种现象制成的各种元件被广泛应用于工业自动化技术、检测技术和信息处理中。霍尔 效应是研究半导体材料性质的基本方法。

霍尔 传感器有线性型霍尔 传感器和开关型霍尔 传感器两种。一种开关型霍尔 传感器由稳压器霍尔元差分放大器、施密特触发器和输出级组成，输出数字量。开关类型霍尔 传感器还有一种特殊类型，叫做锁键类型霍尔 传感器。双线性霍尔 传感器由霍尔元线性放大器和射极跟随器组成，输出模拟信号。线性霍尔 传感器可分为开环型和闭环型。闭环霍尔 传感器又称零通量霍尔 传感器。

磁阻元件类似于霍尔 element，但其工作原理是利用半导体材料效应的磁阻。霍尔 效应的区别如下:霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应是指沿电流方向的电阻变化。霍尔传感器的工作原理是基于霍尔效应，可以用来直接测量霍尔电位差，测量磁场强度，也可以用来判断磁感应强度的方向。磁阻传感器通过改变放置在磁场中的合金带的电阻来测量磁场的大小和方向。

扩展数据:霍尔该装置在输入端连接有控制电流IC。当磁场B通过器件的磁感应面时，输出端出现电势VH。在硅片上制作了磁阻传感器并形成产品。其灵敏度和线性度能满足磁罗盘的要求，各方面性能明显优于霍尔 device。参考来源:百度百科-磁阻-2传感器参考来源:百度百科-霍尔 传感器。霍尔 传感器是-1的一种，在交变磁场通过时产生输出电压脉冲。

工作原理:1。要使霍尔集成电路发挥传感作用，需要通过机械手段改变磁感应强度。旋转的叶轮被用作控制磁通量的开关。当叶轮叶片处于磁铁与霍尔集成电路之间的气隙时，磁场偏离集成芯片，霍尔的电压消失。2由于霍尔集成电路的输出电压变化，可以指示叶轮驱动轴的某一位置，用霍尔集成电路芯片作为点火正时传感器。霍尔效应传感器是被动型传感器。它只能使用外部电源，并且该功能可以检测低速运行。

长时间测量电流过大会损坏终端功放管。正常情况下，两倍过载电流的持续时间不得超过1分钟。2 霍尔 传感器 A限流电阻R1必须按产品说明与原边串联，使原边得到额定电流。正常情况下，2次过电压持续时间不得超过1分钟。3 传感器的磁饱和点和电路饱和点使其具有很强的过载能力，但过载能力受时间限制。测试过载能力时，2次以上过载电流不得超过1分钟。4 传感器抗外磁场能力为:距离传感器510cm。

1霍尔-1/Principle-霍尔效应霍尔效应。霍尔 效应是指如果在半导体晶片两端施加控制电流I，在晶片的垂直方向施加磁感应强度为B的均匀磁场，在电流I和磁场B的垂直方向会产生电势差UH = k * ib/d，其中k指-。d是指半导体晶片的厚度。我们把产生的电位差UH 霍尔电压和这个现象霍尔 效应。