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1，影响穿通P N结的雪崩击穿电压的因素有

雪崩击穿就是反接时由于热碰撞产生的电子空穴对，当然是与两侧的掺杂浓度有关啦！所以你选的是正确的！

影响穿通P N结的雪崩击穿电压的因素有

2，如何区别齐纳击穿和雪崩击穿

一、性质不同1、雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。2、齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。二、特点不同1、雪崩击穿特点：材料掺杂浓度较低的PN结中，空间电荷区的电场随PN结反向电压的增大而增大。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，获得的能量在电场作用下增加。2、齐纳击穿特点：齐纳或隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场，在碰撞电离机理中，不仅与场强有关，而且与载流子碰撞的累积过程有关。显然，空间电荷区域越宽，它的倍数就越大。因此，雪崩击穿不仅与电场有关，还与空间电荷区的宽度有关。它要求结厚。而隧道效应要求结薄。扩展资料：齐纳击穿常发生在掺杂浓度比较高的PN结中，因为此时的空间电荷层很薄，一个非常小的反向电压可以在空间电荷区产生一个强电场（通常高达10?v/cm）。当温度升高时，电子的热运动增加，价电子可以通过较小的反向电压从共价键中拉出。因此，当温度升高时，击穿电压降低，即齐纳击穿具有负的温度系数。参考资料来源：百度百科-雪崩击穿参考资料来源：百度百科-齐纳击穿

如何区别齐纳击穿和雪崩击穿

3，什么叫雪崩击穿

材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强.这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞,通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子-空穴对.新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,又产生新的自由电子空穴对.如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加,流过PN结的电流就急剧增大,所以这种碰撞电离称为雪崩击穿.也称为电子雪崩现象.

什么叫雪崩击穿

4，雪崩和齐纳击穿有什么用

雪崩击穿和齐纳击穿的作用：1、雪崩击穿的具体作用：材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子-空穴对。新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，又产生新的自由电子和空穴对。如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结。2、齐纳击穿的具体作用：当PN结的掺杂浓度很高时，阻挡层就十分薄。这种阻挡层特别薄的PN结，只要加上不大的反向电压，阻挡层内部的电场强度就可达到非常高的数值。这种很强的电场强度可以把阻挡层内中性原子的价电子直接从共价键中拉出来，变为自由电子，同时产生空穴，这个过程称为场致激发。由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增。扩展资料：1、齐纳击穿的应用特点：齐纳或隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场，而在碰撞电离机构中既与场强大小有关，也与载流子的碰撞累积过程有关。显然空间电荷区愈宽，倍增次数愈多，因此雪崩击穿除与电场有关外，还与空间电荷区的宽度有关。它要求结厚。而隧道效应要求结薄。因为雪崩击穿是碰撞电离的结果。如果我们以光照或是快速粒子轰击等办法，增加空间电荷区中的电子和空穴，它们同样会有倍增效应。而上述外界作用对齐纳击穿则不会有明显影响。由隧道效应决定的击穿电压，其温度系数是负的，即击穿电压随温度升高而减小，这是由于温度升高禁带宽度减小的结果。而由雪崩倍增决定的击穿电压，由于碰撞电离率（电离率表示一个载流子在电场作用下漂移单位距离所产生的电子空穴对数目）随温度升高而减小，其温度系数是正的，即击穿电压随温度升高而增加。对于掺杂浓度较高势垒较薄的PN结，主要是齐纳击穿。掺杂较低因而势垒较宽的PN结，主要是雪崩击穿，而且击穿电压比较高。2、雪崩击穿的实际应用：电除尘器中的电子雪崩现象：当一个电子从放电极（阴极）向收尘极（阳极）运动时，若电场强度足够大，则电子被加速，在运动的路径上碰撞气体原子会发生碰撞电离。和气体原子第一次碰撞引起电离后，就多了一个自由电子。这两个自由电子向收尘极运动时，又与气体原子碰撞使之电离，每一原子又多产生一个自由电子，于是第二次碰撞后，就变成四个自由电子，这四个电子又与气体原子碰撞使之电离，产生更多的自由电子。所以一个电子从放电极到收尘极，由于碰撞电离，电子数将雪崩似地增加，这种现象称为电子雪崩。参考资料来源：百度百科-齐纳击穿参考资料来源：百度百科-雪崩击穿参考资料来源：百度百科-电子雪崩现象

5，隧道击穿和雪崩击穿是什么情况啊

隧道击穿和雪崩击穿是pn结两种不同的击穿机制。pn结在反向高压下会发生击穿。其中雪崩击穿指势垒边缘扩散进势垒区的电子和空穴在高场下加速，获得极大动能。它们与势垒区的晶格原子碰撞，使其价电子电离，获得新的自由电子和空穴，由此1生2,2生4，载流子不断倍增，最终导致pn结击穿。隧道击穿也叫齐纳击穿，可以用量子力学中的隧道效应来解释，随着反向偏压的不断增大，势垒区的价电子势能增大，而势垒区宽度降低，此时pn结穿两端电子与空穴穿过势垒的几率增大，由此大量载流子隧穿而引起反向电流增大，击穿pn结。随着反向电压的不同，隧道击穿与雪崩击穿可单独或同时存在，具体可以参见教科书《半导体物理基础》。

6，二极管雪崩击穿与齐纳击穿哪个电压大

雪崩击穿大！　　雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。　　齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大）　　PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于　　5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。　　两者的区别对于稳压管来说，主要是：　　电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。　　电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 回答者： 中华才俊网 - 大魔法师 八级 二极管的击穿原理见楼上，齐纳击穿和雪崩击穿区别在于： 齐纳击穿可恢复，齐纳二极管（稳压二极管）击穿后可以自愈，是一种正常的工作状态，齐纳二极管就工作在齐纳击穿区。 雪崩击穿不可恢复，是一种非正常的工作状态，一旦二极管工作在雪崩击穿区，该二极管即已损坏报废，表现为短路，失去半导体特性。 当齐纳二极管的反向击穿电流超过其允许的最大击穿电流数倍时，齐纳二极管也会发生雪崩击穿，现象是二极管短路报废。 回答者： 南燕老师 - 高级魔法师 六级 1-8 15:17

7，雪崩击穿电压

BJT（双极型晶体管）的穿通电压与雪崩击穿电压一道，都起着限制着晶体管最高工作电压的作用（由该二者的最低值决定）。 　　晶体管的穿通，就是在外加反向偏压还未达到集电结发生雪崩击穿时就出现了电流突然增大的一种现象，即提前发生“击穿”的一种效应。BJT发生穿通时所对应的反向偏压称为穿通电压。穿通效应产生的机理可区分为基区穿通、外延层穿通和缺陷造成的局部穿通等几种，相应地就有不同的穿通电压指标——基区穿通电压、外延层穿通电压和局部穿通电压等。 　　① 基区穿通： 　　BJT的基区穿通就是集电结还未发生雪崩倍增时、集电结势垒区就已经扩展到了整个基区（即基区宽度减小到0）的现象；这时在集电极与发射极之间的电压值就是基区穿通电压。基区穿通的发生是由于集电结反向电压使得势垒厚度增大、从而导致基区宽度变窄的结果。从能带图来看，在基区穿通以后，则电中性的基区消失了，整个基区就都成为了高电场的耗尽区，则发射区的电子就可以直接漂移到集电区，从而输出很大的集电极电流——产生类似雪崩击穿的现象；实际上，在基区穿通以后，集电结与发射结之间的电压（等于[Vcb-Vbe]）就可认为完全加在发射结上了，这就会使得发射结立即产生雪崩击穿（击穿电压为BVceo）。所以，基区的穿通是伴随有击穿效应的，即穿通与击穿同时存在。这时，穿通电压可以根据 　　集电结近似为单边突变结、还是近似为线性缓变结，并由耗尽层厚度来进行估算。显然，对于基区掺杂浓度较低于集电区的合金晶体管和基区宽度较小的各种晶体管，在较高集电结电压时容易发生的是基区穿通而非集电结雪崩击穿。 　　② 外延层穿通： 　　对于n-p-n/n+双扩散Si外延平面晶体管，由于基区掺杂浓度高于集电区，则在集电结的反向偏压增大时，集电结势垒区将较多的是向集电区扩展，则这时不会发生基区穿通（如果基区宽度不是太窄的话），但较容易的是发生外延层穿通（即集电结在发生雪崩击穿前，集电结势垒区即已扩展到低阻的n衬底表面，整个外延的集电区变成了势垒区——耗尽层）；在外延层穿通以后，集电结的反向电压即完全加在了由p基区与n+衬底构成的p-n+结上（即加在整个耗尽了的外延层上），而该p-n+结两边的掺杂浓度都较高，因此很快就会发生雪崩击穿。可见，该外延层穿通电压也同样限制着晶体管的耐压性能。显然，为了防止外延层穿通，就应该增大外延层的掺杂浓度及其厚度，使得在发生集电结雪崩击穿之前不至于整个外延层全部耗尽（穿通）。 　　③局部穿通： 　　由于材料缺陷或者制造工艺不当等原因，若在发射结或集电结的结面上出现了“毛刺”，那么也将同样容易产生基区穿通或者外延层穿通。如果产生的是基区穿通，则可能会出现折线形的击穿特性曲线（因为首先穿通时电流要经过狭窄的局部穿通区，故有一段电流随电压而线性增大的范围；一直到反向电压达到BVcbo时、使集电结发生雪崩击穿，集电极电流电流才急剧增大）。[

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