p沟道mos管,n沟道mos管和p沟道mos管

p沟道的增强型mos管,求P沟道MOS管,所以输入电阻不及mos场效应管。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻，该mos管会工...只能说MOS管会导通吗？怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道IMG_2118，增强型：就是UGS0V时漏源极之间没有导电沟道，只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道。

1、对PMOS增强型管是正确的，耗尽型则不同。2、PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动。3、但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。对PMOS增强型管是正确的，耗尽型则不同。是的！这个和那个JFET的N沟道对应理解。

对N沟道G极电压为 极性。对P沟道的G极电压为极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为0.4V，当栅源的电压差为0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS1V，mos管导通，D为2.8V。

找不到最大电流60A的，瞬时脉冲电流可以超过60A，但是连续电流最大只有50A的，导通内阻也没有那么小的。MTP50P03和MTB50P03，最大连续电流50A，瞬时脉冲电流150A，开启电压典型值1.5V，最大值2V，导通电阻20mΩ。你可以用两只MTP50P03并联使用（加均流电阻）。

P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。结型场效应管只有（耗尽型）；MOS管有（增强型）和（耗尽型）。增强型：就是UGS0V时漏源极之间没有导电沟道，只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道。

指针表判断NP沟方法(10K档):N沟MOS管:红表笔接(D)，黑表笔接(S)，指针满偏。P沟MOS管:跟N沟MOS管测量现象相反。数字表判断NP沟方法(二极管档):N沟MOS管:黑表笔接(D)，红表笔接(S)，显示500左右数字。P沟MOS管:跟N沟MOS管测量现象相反。备注:D就是外壳。N沟道和P沟道的场管导通条件有何不同，是不是只是电流方向的不同（D到S，S到D）。

IMG_2118。指针表判断NP沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。数字表判断NP沟方法(二极管档)：N沟MOS管：黑表笔接（D），红表笔接（S），显示500左右数字。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。备注：D就是外壳。

MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型你问哪一种？

一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启你找一本绿皮的电子线路基础，里面很清晰，曲线图有，沟道怎么形成也有。或者你买一本蓝皮的CMOS集成电路设计，第二章也讲得非常清晰。如果你还是不懂，你最好先学习一下”半导体原理“和”半导体器件物理“这两本书。这对于沟道如何形成的理解有很大帮助。

只能说MOS管会导通吗？G虽然悬空，理论上MOS管是不会导通，考试的时候，就说不导通，不工作，实际使用环境电磁环境复杂，有可能会导通的，G极感应电压的情况存在，也比较多的。有可能工作，并且很容易烧坏，因为mos管是电压开启型管子，基本不需要电流的，直接在漏源极接电源在高频或者感扰较大的情况下，悬空的栅极很容易出现少量电荷低电压导通mos管，在这种状态下mos工作在非全导通状态，相当于电阻，发热比较严重，达到一定温度就冒烟或者炸管了。