npn与pnp的区别,pnp光电开关接线图

接近开关NpN和PNp区别在哪里?1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn。3.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择npn，2.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择pnp，4.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp。

1.PNP型晶体管PNP晶体管是另一种类型晶体管。它的工作原理和NPN晶体管相似，只是在基区运动并放大信号的多数载流子是空穴而不是电子。PNP晶体管的发射结要正偏，基区的电压要比发射区的电压要高,而集电极要是多数载流子空穴通过，集电区的电压要比基区的要低。这一点和NPN晶体管的极间电位正好相反。在双极模拟集成电路中要应用NPNPNP互补设计以及某些偏置电路极性的要求，需要引入PNP结构的晶体管。

它的制作可与普通的NPN管同时进行，不需附加工序。在横向PNP管中，发射区注入的少子（空穴）在基区中流动的方向与衬底平行，故称为横向PNP管。纵向PNP管其结构以P型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。N型外延层作基区，用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低电位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。

三极管是三层结构,分为发射区,基区和集电极区,\x0d\x0aPNP与NPN三极管区别：\x0d\x0aPNP型的是发射极,集电极区为P型半导体材料,基极区是N型半导体,在电路中发射极接正电压,集电极接负电压,偏置电压为负.\x0d\x0aNPN型的发射极,集电极为N型半导体,基极是P型半导体,在电路中发射极接负电压,

偏置电压为正.\x0d\x0aNPN是用B→E的电流（IB）控制C→E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE\x0d\x0aPNP是用E→B的电流（IB）控制E→C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC3、PNP和NPN三极管区别

1、NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。2、电流方向NPN是用BE的电流（IB）控制CE的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC》VB》VE。PNP是用EB的电流（IB）控制EC的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC《VB《VE。3、电压区别NPN基极高电压，集电极与发射极短路。

也就是不工作。PNP基极高电压。集电极与发射极开路，也就是不工作。如果基极加低电位，集电极与发射极短路。扩展资料PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管。也可以描述成，电流从发射极E流入的三极管。晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。

这个是三极管的,你看一下NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。NPN是用B→E的电流（IB）控制C→E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VEPNP是用E→B的电流（IB）控制E→C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC