8050三极管

8050三极管是什么样的三极管8050三极管是NPN型功率三极管，用来组成H桥驱动大功率物体。s8050d与8050区别1.三极管8050是非常常见的NPN型晶体三极管，具有放大电流的作用，实质是三极管8050能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量，这是三极管8050最基本的和最重要的特性。

8050三极管作开关电路用时”发射极应该接负极(也就是线路中的地)。三极管的发射极出现9V电压，而且高于三极管集电极的5V，即说明是线路连接错误。基极用5V”控制时，要加限流电阻即可解决。扩展资料：8050应用参数8050三极管的基极电压约为0.7V，放大倍数β值约为150，作为开关电路使用时，向基极施加3mA左右的电流就能使其完全导通。

直流增益：1060应该指放大倍数β值，但我认为不会这么小，应该100200；功耗是指其再放大状态时，三极管的最大发热功率（超出可能造成器损坏）；最大集电极发射极电压：指的是最高耐压，超过此电压，会造成三极管击穿；特征频率：是指在高频应用时的最高频率，超过此频率，性能会下降，甚至失效。

8050是NPN25V1A的中功率三极管；只要参数与它相近的NPN三极管就可以代换，比如，D882；2SD1884；MJE13003可以替换它。凡标有8050字样的三极管都能用。三极管SS8050/KTC9014，基本属于同一类型的，可以替换试试，不过，替换的时候先问卖家安全问题。扩展资料：S8050和S8550的耗散功率是0.625W,

8050双极性晶体管.目录.参数.数据表(PDF)制造商零件编号:8050材料:Si晶体管极性:NPN最大耗散功率(Pc):1集电极基极击穿电压(Ucb):40集电极发射极击穿电压(Uce):25发射极基极击穿电压(Ueb):6最大集电极电流(Ic):1.5最大工作温度(Tj),°C:150最大工作频率(ft):100输出电容(Cc),

8050极性:NPN;开启电压：0.7V；材料:硅;8050三极管（SOT23封装）管脚图8050三极管（SOT23封装）管脚图最大集电极电流(A):0.5A;直流电增益:10to60;功耗:625mW;最大集电极发射极电压（VCEO）:25;[1]特征频率:150MHzPE8050硅NPN30V1.5A1.1W3DG8050硅NPN25V1.5AFT190*K2SC8050硅NPN25V1.5AFT190*KMC8050硅NPN25V700mA200mW150MHzCS8050硅NPN25V1.5AFT190*K。

2SC2060、2SC1846。8050三极管技术参数：类型为开关型；极性为NPN；材料为硅；最大集电极电流为0.5安倍；功耗为625兆瓦；最大集电极－发射极电压为25；特征频率为150兆赫。8050三级管能用2SC2060、2SC1846代替。8050三极管技术参数：类型为开关型；极性为NPN；材料为硅；最大集电极电流为0.5安倍；

1.三极管8050是非常常见的NPN型晶体三极管，具有放大电流的作用，实质是三极管8050能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量，这是三极管8050最基本的和最重要的特性。2.主要用于高频放大，也可用作开关电路。3.三极管s8050是小功率NPN型硅管，主要作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也用作无触点开关。

5.其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。6.三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。7.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

8050是现在很常用的一种小功率npn管。该管pcm1w，icm1.5a，bvceo25v。你驱动的是流水灯，功率不大，可以用常用的9013、9014、2n5551直接替换，它们的引脚排列和8050完全相同。你面对型号，从左到右引脚依次是e、b、c。三极管8050：常见的NPN型晶体三极管。8050是日本公司生产的NPN硅三极管，其耐压值为25V，Pcm为1W，Icm为1.5A。

英文版的。看下图。三极管8050：常见的NPN型晶体三极管。S8050,NPN三极管，平面向上，左到右分别为为EBC极D8050则是ECB极。S8050MSOT230.8A小电流C档丝印：HY3CHEF:120～200。8050三极管参数：耐压25V,电流：500mA,800mA,1500mA三种，比如长电科技的这三种的型号，分别是S8050,

8050三极管是NPN型功率三极管，用来组成H桥驱动大功率物体。8050三极管是NPN型功率三极管，常用来组成H桥驱动大功率物体，如步进电机。和他配套使用的PNP型功率三极管8550。8050三极管是低耐压，放大倍数耐压BVCBO100多伏，BVCEO40多伏，放大倍数250左右，芯片0.38*0.38mm脚位排序ecb。

类型:开关型;极性都是NPN;材料:硅;最大集存器电流(A):0.5A;直流电增益:10to60;功耗:625mW;最大集存器发射电（VCEO）:25;频率:150KHzPE8050硅NPN30V1.5A1.1W3DG8050硅NPN25V1.5AFT190*K2SC8050硅NPN25V1.5AFT190*KMC8050硅NPN25V700mA200mW150MHzCS8050硅NPN25V1.5AFT190*K。