mos管开关电路，求高手分析下这个mos管驱动电路的原理主要讲解下两个电阻的选型
来源：整理 编辑：五合装修 2024-05-14 08:48:33
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1，求高手分析下这个mos管驱动电路的原理主要讲解下两个电阻的选型
这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。由于该类型管子的输入电阻极大，如果不是工作在高频状态，对电阻选择要求不高，R24、R26数百欧姆到数K欧姆都可以，R25、R27在10K-20K范围也都可以。缓冲电阻，针对栅极控制信号的。根据mos管的栅极电容和工作频率来选择，一般在4.7欧到100欧之间。一般mos管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值。想深入了解的话建议去看看ir公司的关于mos驱动芯片的相关资料
2，mos管的开关电路原理是什么
mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。在开关电路中，MOSFET管可用来替代传统的电源开关，实现较高的效率和更小的损耗。
3，mos管怎么在负极作开关
※ uGS＜开启电压UT：MOS管工作在截止区，漏源电流iDS基本为0，输出电压uDS≈UDD，MOS管处于"断开"状态，其等效电路如图3.8(b)所示。※ uGS＞开启电压UT：MOS管工作在导通区，漏源电流iDS=UDD/(RD+rDS)。其中，rDS为MOS管导通时的漏源电阻。输出电压UDS=UDD·rDS/(RD+rDS),如果rDS＜＜RD，则uDS≈0V，MOS管处于"接通"状态。可以参考锂电池保护电路的设计（如常用的dw01+芯片）。要活用mos导通条件可以参考锂电池保护电路的设计（如常用的dw01+芯片）。要活用mos导通条件再看看别人怎么说的。
4，MOS开关电路
MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用4.5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用2.5V就能驱动。当电压为2.5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。也可以用IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。不过散热很重要，要有足够大的散热片和小风扇。电压有个3-5V就足够了。高电平驱动（其实就相当于PWM）。扩展资料：MOS管开关电路：1、P沟道MOS管开关电路PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。2、N沟道mos管开关电路NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。参考资料来源：百度百科-Mos开关电路
5，谁能帮我提供一个三极管驱动MOS的开关电路谢谢
1、工作性质：三极管用电流控制MOS管属于电压控制1、本问题：三极管便宜mos管贵2、功耗问题：三极管损耗3、驱能力：mos管用电源关及电流关电路实际三极管比较便宜用起便用数字电路关控制MOS管用于高频高速电路电流场合及基极或漏极控制电流比较敏般说低本场合普通应用先考虑用三极管行考虑MOS管TTL用三极管TTL能驱MOSMOS能驱TTL简单理解打MOS电平改变打BJT电平变0.7V能再控制别说解,具体讲讲?</DIV前我明白调试才理解三极管导通Vbe间压降接近于0.7V假设原基极高电平3.3V导通基极电平否拉低0.7V避免驱端电平拉低般都基极串已电阻一般是2.4v-3v 门线电压2.4v 三极管做开关只接集电极和发射极 或者用两个三极管反诘即可
6，MOS管在开关电路的作用
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。扩展资料NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。参考资料来源：百度百科-mos管
7，MOS管开关电路
MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；所以，G极就是控制极；要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。■mos管开关电路中要用到mos场效应管来代替开关，场效应管有三个极：源极s、漏极 d和栅极（或叫控制极）g.工作原理是：在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压（因为管型而异）后，再给g极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ，如果信号电压够大，这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。
8，求教MOS管开关电路
MOS和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而MOS属于电压驱动型，因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。NMOS管是增强型还是耗尽型。增强型NMOS管的N型导电沟道的栅源电压为开启电压，(Ugs)这中场效应管Ugs=0时，没有导电沟道，NMOS管是截止的，相当于开关的断开。当控制电压Ugs＞开启电压Ugs时，形成导电沟道，NMOS管就工作在饱和区也称为放大区，我们说的导通。所以具体G极电压要多少，看你的NMOS管，还有是那类型的管。■mos管开关电路中要用到mos场效应管来代替开关，场效应管有三个极：源极s、漏极 d和栅极（或叫控制极）g.工作原理是：在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压（因为管型而异）后，再给g极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ，如果信号电压够大，这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。12V的电源正端接负载后，负载再接管子的D极，管子的S极接电源负（地）。管子的G极根据管子的型号，一般要比S极电压高10V~20V左右才能使管子完全导通。另外，若不是强推拉驱动，G极需要一只1~10K左右的电阻进行电荷泄放以实现快速关断。G极电压根据MOS参数（开启电压），一般2-5V，要让管子起到开关作用，必须给G极开关信号。详情参考中国电子DIY之家详细分析在G极上面加一个正3伏的电压，NMOS管开启，D极S极可以通过电流，这个电流是通过12伏电源正极---负载---源（或者漏极）---回到电源负极。撤销G极上面的电压，也就是变成0伏，NMOS管关闭，切断负载与12伏电源。
9，请教MOS管做开关电路
你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；所以，G极就是控制极；要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。电路错了，PMOS你还D入S出？也就是说，S和D反了，调过来就对了。这个电路很常用，类似于PNP型三极管，对P三极管来说，E接电源入，C接控制输出，同理如上。G极电压根据MOS参数（开启电压），一般2-5V，要让管子起到开关作用，必须给G极开关信号。详情参考中国电子DIY之家详细分析■mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关，场效应管有三个极：源极S、漏极 D和栅极（或叫控制极）G.工作原理是：在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压（因为管型而异）后，再给G极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ，如果信号电压够大，这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。
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mos管开关电路 求高手分析下这个mos管驱动电路的原理主要讲解下两个电阻的选型
