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1，二极管的击穿

1，电压击穿:反向电压超过它的耐压值。2，电流击穿:工作电流超过它的额定最大电流，发热击穿。3，齐纳击穿:内部共价键晶状结构破坏，又称“雪崩击穿。”
这种情况二极管没有被击穿，是正常的工作状态。因为负6.3v电压比负7v电压高，电流的确是从b点流向a点，其中有二极管的0.7v管压降电压，所以是正常工作情况

二极管的击穿

2，雪崩击穿可恢复吗

该效应不可恢复。在雪崩击穿效应中，由于电子与晶格不断相互碰撞，产生大量的电子空洞对，达到一定程度后出现了“雪崩”效应，导致绝缘体失效。一般认为，雪崩击穿是不可逆的，因为经历了雪崩击穿的局部区域永久损坏，不可能恢复。

雪崩击穿可恢复吗

3，什么叫雪崩击穿

材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强.这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞,通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子-空穴对.新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,又产生新的自由电子空穴对.如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加,流过PN结的电流就急剧增大,所以这种碰撞电离称为雪崩击穿.也称为电子雪崩现象.

什么叫雪崩击穿

4，问齐纳击穿和雪崩击穿的区别

雪崩击穿：发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，雪崩击穿的击穿电压高。齐纳击穿：当PN结两边掺杂浓度很高时，阻挡层很薄，不易产生碰撞电离。 00:00 / 03:0470% 快捷键说明 空格: 播放 / 暂停Esc: 退出全屏 ↑: 音量提高10% ↓: 音量降低10% →: 单次快进5秒 ←: 单次快退5秒按住此处可拖拽 不再出现 可在播放器设置中重新打开小窗播放快捷键说明

5，隧道击穿和雪崩击穿是什么情况啊

隧道击穿和雪崩击穿是pn结两种不同的击穿机制。pn结在反向高压下会发生击穿。其中雪崩击穿指势垒边缘扩散进势垒区的电子和空穴在高场下加速，获得极大动能。它们与势垒区的晶格原子碰撞，使其价电子电离，获得新的自由电子和空穴，由此1生2,2生4，载流子不断倍增，最终导致pn结击穿。隧道击穿也叫齐纳击穿，可以用量子力学中的隧道效应来解释，随着反向偏压的不断增大，势垒区的价电子势能增大，而势垒区宽度降低，此时pn结穿两端电子与空穴穿过势垒的几率增大，由此大量载流子隧穿而引起反向电流增大，击穿pn结。随着反向电压的不同，隧道击穿与雪崩击穿可单独或同时存在，具体可以参见教科书《半导体物理基础》。

6，二极管雪崩击穿与齐纳击穿哪个电压大

雪崩击穿大！雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大） PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。

7，压敏电阻的损坏形式和并联使用有哪些

压敏电阻在实际应用中会出现三种损坏形式：1）雪崩击穿：当压敏电阻在暂态过程中吸收的量过大时，引线与本体的焊合部位会被电动力打断，或者压敏电阻未能承受该幅值的冲击，而爆裂损坏，从而表现为开路状态。2）热击穿：压敏电阻承受的电压值缓慢上升，超过其额定运行电压的稳态电压时，会造成热击穿损坏。这种损坏表现为短路，这时短路电流值非常大，压敏电阻继续吸收大量的量，温度不断升高，导致压敏电阻本体发生开裂。 3）老化劣化：压敏电阻由于它的阻性，在有多次大电流通过时，会出现劣化现象。这三点加入放电管保护的配合电路，并联配合可以做到通流量增大，控制电压降低，并且减缓元件老化劣化。配合的关键在于量的交换点的位置选择，选择的原则是在电流冲击幅值达到压敏电阻的标称放电电流值时，两者开始配合，即放电管动作，并联放电分流大部分量由于并联后，放电管的续流、压敏电阻的漏流仍无法克服，就要求放电管要有灭弧能力，而压敏电阻仍需熔断器等的保护。

8，二极管雪崩击穿与齐纳击穿哪个电压大

雪崩击穿大！　　雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。　　齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大）　　PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于　　5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。　　两者的区别对于稳压管来说，主要是：　　电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。　　电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 回答者： 中华才俊网 - 大魔法师 八级 二极管的击穿原理见楼上，齐纳击穿和雪崩击穿区别在于： 齐纳击穿可恢复，齐纳二极管（稳压二极管）击穿后可以自愈，是一种正常的工作状态，齐纳二极管就工作在齐纳击穿区。 雪崩击穿不可恢复，是一种非正常的工作状态，一旦二极管工作在雪崩击穿区，该二极管即已损坏报废，表现为短路，失去半导体特性。 当齐纳二极管的反向击穿电流超过其允许的最大击穿电流数倍时，齐纳二极管也会发生雪崩击穿，现象是二极管短路报废。 回答者： 南燕老师 - 高级魔法师 六级 1-8 15:17

9，什么是雪崩二极管

雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。　　雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。　　齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大。只有在杂质浓度特别大的PN结才做得到。
常用的稳压二极管就是雪崩二极管还有光电二极管今天在《百度〉搜索网站输入关键词〈雪崩二极管〉搜到了许多关于雪崩二极管的内容，请上网搜一搜。你的问题就会得到满意的答案。qizhan
借光楼主，我对这个问题也不明白，请问liuking123：雪崩二极管和齐纳二极管有什么区别？雪崩二极管用在什么地方？稳压二极管应该是齐纳二极管；如蒙解释，万分感谢！非常感谢楼上的耐心解释；我是搞电子技术应用的，我好奇怪，还有我不知道的二极管？通过您的解释才想起，是楼主的问题不对；没有雪崩二极管，二极管的雪崩击穿是不可恢复的，是破坏性的；只有二极管的反向电压超过它的耐压值，才会发生雪崩击穿。
雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，pn结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的pn结才做得到。（杂质大电荷密度就大）一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管
雪崩击穿是指pn结内做漂移运动的少子受强电场的加速作用获得很大的动能，当它与结内原子碰撞时，把其中的电子撞出来，产生新的电子空穴对，新产生的电子空穴对在电场的作用下，又去撞击其他的原子，这样下去，就像雪崩一样．这种情况一般发生在掺杂浓度较低，外加电压较大的情况下齐纳击穿是由于PN结中掺杂浓度高，形成的PN结很窄，即使是电压很低（5v一下）的情况下，结内电场也非常强，它可以把结内电子从共价键中拉出来引起反向电流的剧增我这答案不采纳，可就伤我心了啊！！！各位
PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管。。。。。。。。。。。。。。。。。。。这是相当简略的解释。。。我是学半导体的。。。。--------------------------------------------------------------------------------借光楼主，我对这个问题也不明白，请问liuking123： 雪崩二极管和齐纳二极管有什么区别？ 雪崩二极管用在什么地方？ 稳压二极管应该是齐纳二极管； 如蒙解释，万分感谢！ 雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大）一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管

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