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1，什么是双极晶体管是不是就是三极管

是的这是历史原因，最早的是点接触型的，后来发展到双PN结型的，就是双极型晶体管

什么是双极晶体管是不是就是三极管

2，双极性晶体管的介绍

双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN晶体管为例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极性晶体管的介绍

3，什么叫双极性晶体管与单极性晶体管有什么区别

双极性晶体管（又称双极性三极管，Bipolar Junction Transistor）根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个P-N结。可分成PNP Image:BJT symbol PNP.png和 NPN Image:BJT symbol NPN.svg 两大类。 http://www.ed-china.com/ARTP_8800013823_400011_500009_OT.HTM

什么叫双极性晶体管与单极性晶体管有什么区别

4，双极晶体管的工作原理

BJT（又名双极 晶体管 ）的基本工作原理是发射极结（J1）和集电极结（J2）之间的相互作用。当BJT的基极与发射结悬浮或短路时，集电极之间的电压为正偏置，即UCE＞0，集电极结（J2）处于反偏压状态，承受外部偏压，发射结不提供电子，整个BJT不通电。处于正阻塞状态。 此时，在BJT基极和发射极之间施加正向电压，即UBE＞0。发射结的正偏压引起的少数载流子注入效应使发射区中的电子穿过发射结进入人的基区。当电子深入基区时，许多电子与基区的空穴复合，由于复合而损失的空穴由基区接触补充。如果基区的宽度远小于电子的扩散长度，则相当数量的电子到达集电结（J2），在那里它们被电场俘获并运输到集电区。结果，电流开始流过电路，导通状态下的BJT的能带如图1所示。 通过集电极结的电子，减小集电极结的压降，在集电极区产生电导调制效应，减小集电极区的电压降。当基极间电压足够大时，BJT工作在饱和导通状态，进入饱和导通状态后集电极电压很低。集电极电流仅取决于外部电路的阻抗，不再由基极控制。BJT工作在饱和状态，集电极的电流仅由外部电路的阻抗决定，不再由基极控制。这是双极功率晶体管和用作信号处理的晶体管之间最大的区别。 通过对PN结的分析可知，基极发射极电压UBE决定了发射极结的注入电平，即集电区的电流被调节。当基极驱动器被移除，也就是基极发射器之间的电压被移除时，BJT电流迅速下降，因为没有更多的电子被注入基极，剩余的多余电子不能与空穴结合或流向收集器。同时，集电极结返回到外部反向偏置电压的状态，BJT被关闭。以上是通过基极发射电压ube（又称基极电流）控制bjt传导和关闭的基本工作原理。计算结果可用于分析两个pn结的影响。在传导状态下的两个pn结附近的载流子分布如上图所示。下图显示了相应的bjt中电子和孔的分布情况。 在图中，电子电流的方向与电流方向相反，而孔流的方向与电流方向相同。IB、IC和IE分别是BJT、集电极和发射极电流的基极。IPE和INE是通过发射结的空穴和电子电流。INC是在INN中通过集电极结的电子电流的一部分。I0C是偏置条件下集电极结的漏电流，比其它电流小得多，可以忽略。 对于流过发射极结的电流由两部分组成，并且发射极结的注入效率为γ，则如果少数电子与基极上的电子空穴发生复合，则电流线中最终能通过集电极进入集电极的电流为inc，这被视为电子通过基极“传输”到集电极。因此，运输系数b定义为显然，系数也小于1。根据b和γ，可以定义bjt的当前放大系数α为此时，考虑到则有系数α本质上反映了BJT中两个PN结之间的相互作用和相互作用的影响。一般来说，α不是一个固定的常数，它会受到许多因素的影响，如BJT中的电流、器件的结温等。从上面的公式可以看出，没有基极电流的BJT将不会通电，除非发生反向集电极结击穿。这是三层双结晶体管的基本特性。典型的BJT电流放大系统随集电极电流和结温的变化曲线如下图所示。 以上是双极性晶体管的基本工作原理。希望对你了解双极晶体管有所帮助，当然有电子元器件方面的需求也可以在深铭易购商城上看看！

5，请问双极型晶体管是什么意思呀那双极型

双极型就是电子和孔穴都参加电流形成的意思。反义词呢就是单极型，这个是电子和孔穴之中只有一个参加电流形成的意思。晶体管是拥有三个电极和两个pn结的半导体器件，有两种双极型晶体管就是npn和pnp。
双极型和单极型的差别主要看有几种载流子参与导电。在双极型晶体管中，多子和少子（也就是空穴、电子，两种不同极性的载流子）都参与导电；而在单极型晶体管中只有多子（或空穴，或电子，只有一种，单一极性，或正或负）参与导电。

6，1什么是双极型晶体管BTJ它有哪两种形式

由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型
双极性晶体管(bjt,bipolar junction transistor)：又称晶体三极管、半导体三极管等，简称三极管。有两种不同极性的载流子（电子与空穴）同时参与导电，故称为双极型晶体管。根据材料的不同可分为结型场效应管jfet (junction field effect transistor)和绝缘栅型场效应管igfet(insulated gate fet) 。单极性晶体管：只有一种极性的多数载流子（电子或空穴）参与导电，故称为单极型晶体管，如场效晶体管等。根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(si)与锗管(ge)。硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。

7，什么是单极型晶体管和双极型晶体管

一、单极型晶体管在目前使用的pnp或npn面结型晶体管的工作中，包括金属-氧化物-半导体晶体管在内的场效应晶体管，只需要一种载流子，这种晶体管就叫做单极晶体管。单极晶体管即场效应晶体管，因为场效应晶体管在工作时，半导体中只有多数载流子起主要作用，所以又称为单极晶体管。二、双极型晶体管晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor，BJT)又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变开关．基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可用作电流的开关。和一般机械开关(如Relay、switch)不同的是：晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度非常快，在实验室中的切换速度可达100吉赫兹以上。扩展资料双极型晶体管与MOSFET的比较：1、驱动功率不同 场效应管是压控器件，其栅源极输入阻抗极高，只需要在栅源极间建立电场，即可控制漏源极电流。栅极驱动电压仅在输入端栅源极电容之间建立充电电流，而不直接驱动IDS。因此，其输入阻抗与电子管相近，这就使得MOSFET器件驱动电路大大简化，用CMOS器件、TTL 器件等均可以组成栅极驱动电路，使整机功耗减小。 2、二次击穿现象不同二次击穿是指由于双极型晶体管具有正温度系数特性，集电极电流产生的温升使集电极电流上升，如此恶性循环，造成晶体管热击穿。功率MOS管电流IDS为负温度系数，随着温度的升高，电流受到限制，因此不会发生二次击穿现象，安全工作区较双极型器件也更宽。3、并联使用不同为了增大MOSFET的工作电流，可以把多个MOS管并联使用。功率MOS器件的导通电阻RDS(ON)具有正温度系数，随着温度的升高，导通电阻也越大。这种特性使得MOS管容易并联，并且在并联使用时漏极电流具有自动均流作用，不必外加均流电阻。 4、开关速度不同场效应管是一种由多数载流子参与导电的单极型器件，通过控制栅源电压控制产品的开关，无少子存储问题，因而关断过程非常迅速；当驱动脉冲截止时，只要利用简单的放电电路将栅源电容的充电电荷释放即可立即关断。相比双极型晶体管，功率MOS管具有输入阻抗高、驱动电流小的优点，还具有耐压高、输出功率高、跨导线性好、无二次击穿等优良特性，能够有效提高系统效率、减小设备体积，因此在开关电源、逆变器、功率放大器等电路中使用广泛。参考资料来源：搜狗百科-单极晶体管参考资料来源：搜狗百科-双极型晶体管
一、单极型晶体管单极型晶体管也称场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。 特点：输入电阻高，可达107 ~ 1015 Ω，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 1015 Ω。噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。 分类：根据材料的不同可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应管IGFET(Insulated Gate FET) 。 二、双极型晶体管双极型晶体管也称晶体三极管，它是一种电流控制型器件，由输入电流控制输出电流，其本身具有电流放大作用。它工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称为双极型三极管。 特点：三极管可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。 分类：根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。
双极性晶体管(bjt,bipolar junction transistor)：又称晶体三极管、半导体三极管等，简称三极管。有两种不同极性的载流子（电子与空穴）同时参与导电，故称为双极型晶体管。根据材料的不同可分为结型场效应管jfet (junction field effect transistor)和绝缘栅型场效应管igfet(insulated gate fet) 。单极性晶体管：只有一种极性的多数载流子（电子或空穴）参与导电，故称为单极型晶体管，如场效晶体管等。根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(si)与锗管(ge)。硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。

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