非晶硅

非晶硅电池表示使用的硅材料是非晶硅。单晶硅与多晶硅非晶硅有什么区别呢?利弊非晶硅(aSi)熔融硅在过冷条件下凝固时，硅原子以无规网络形态排列成许多晶核，这些晶粒结合起来，就结晶成非晶硅，非晶硒和非晶硅平板探测器的区别非晶硒和非晶硅平板探测器的区别在于1、结构不同。

非晶硅(aSi)熔融硅在过冷条件下凝固时，硅原子以无规网络形态排列成许多晶核，这些晶粒结合起来，就结晶成非晶硅。多晶硅(pSi)熔融硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。单晶硅(cSi)以高纯度多晶硅为原料在单晶炉中被熔化为液态在单晶种（籽晶）上结晶而成由于其晶体的原子和分子以同一方向（晶向）周期性地整齐排列所以称为单晶硅。

晶硅电池表示使用的硅材料为多晶硅或者单晶硅，多晶硅相对于单晶硅电池来说，价格要便宜的多，但是其光电转换效率要低。晶硅太阳能电池是依靠PN结产生电的。非晶硅电池表示使用的硅材料是非晶硅。其价格要稍高一点，且转换效率也较高，但是其光电转换的机制与晶硅电池是不一样的。

液晶面板都可以划分为非晶硅与多晶硅(PolySi)两大类，它们最大的差距在于一项特性电子迁移率。多晶硅的分子结构排列状态是整齐而有方向性的，像平整的路面可以开客车，而非晶硅则杂乱无章像崎岖山路，只能让人通行。理论上多晶硅的电子迁移率要比非晶硅快200300倍。液晶面板的每一个像素都由薄膜晶体管组成电路来单独控制的，这个电路被集成在每个像素中。

在笔记本、手机屏幕上，可以集成的像素点也越多，从而实现更高分辨率。同时，由于电路变小了，透光率高，耗电也随之降低了。以前的手机和笔记本分辨率做不高、屏幕做不薄、边框做不窄，归根结底是电子迁移率导致开口率不大导致的。为了改善非晶硅电子迁移率低的问题，夏普等厂家推出了IGZO技术，改善了非晶硅的电子迁移率低的问题，不过，电子迁移率依然只有LTPS的1/2，甚至更低。

非晶硒和非晶硅平板探测器的区别在于1、结构不同。非晶硅平板探测器的结构主要是由闪烁体和感光体(具有光电二极管作用的非晶硅层)集成在一起再加TFT阵列构成;非晶硒平板探测器的结构主要是由非晶硒层加TFT阵列构成。2、A/D转换原理不同。非晶硅原理是闪烁体经X射线曝光后，将X射线光子转换为可见光，而后由具有光电二极管作用的非晶硅层变为图像电信号，通过TFT检测阵列，再经A/D转换最终获得数字化图像；非晶硒原理是非晶硒层经X射线曝光后直接产生电信号，通过TFT检测阵列，再经A/D转换最终获得数字化图像。

非晶硒平板探测器要比非晶硅平板探测器在图像质量上更清晰，锐利度更好。4、非晶硒平板探测器在使用过程中对工作环境要求非常高，寿命短，故障率高，而且维护成本远大于非晶硅平板探测器，因此目前市场上平板探测器以非晶硅平板占主导位置。平板主要是非晶硅平板探测器和非晶硒平板探测器，非晶硅是间接成像，技术成熟，GPS都在用。非晶硒是真正意义上的直接成像，那这两者所区别。

非晶硅是由化学气相沉积的方法制备的，在真空室内通入硅烷（SiH4）和氢气（H2），通过等离子放电使气体分解，然后沉积在200度左右的玻璃或塑料、不锈钢等衬底上形成非晶硅薄膜。非晶硅薄膜由于原子排列不整齐，而且存在许多硅的悬键，因此缺陷态非常多，使得载流子迁移率较低，制备的器件效率也较低。所以，非晶硅太阳电池一般制成pin结构，i层是吸光层，负责吸收光子产生电子、空穴对，p、n层形成内建电场，把生成的电子、空穴对抽取出来输运到电极。

微晶硅太阳电池(ucSi)：微晶硅材料和电池的制备方法和非晶硅基本上是一样的，只是通过改变沉积参数来改变沉积材料的结构，因此工艺基本上兼容，目前国际上基本采用VHFPECVD来获得微晶硅薄膜较高速率的沉积效果。微晶硅与非晶硅比，具有更好的结构有序性，用微晶硅薄膜制备的太阳电池几乎没有衰退效应。

单晶硅纯度高，提炼难，发电效率也高多晶硅和非晶硅电池成本低，杂质多，效率也比单晶硅电池低。非晶硅跟单晶硅和多晶硅的区别：一、结构组成：1、单晶硅是硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。2、多晶硅是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，它是一种良好的半导材料。