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1，三极管饱和的基极电流怎么计算

首先确定集电极饱和电流Ics，忽略集电极饱和压降，Ics=Vcc/RL，三极管电流放大系数取较低值即可，如HFE=50左右。则饱和状态时的基极电流应大于Ib=Ics/HFE，一般取2倍Ib。上述方法适宜于深度饱和电路，一般用于控制电路及低速开关电路。

三极管饱和的基极电流怎么计算

2，基极电流由什么决定他是怎么产生的

在不超出三极管额定工作范围的情况下，基极电流由人所设计的输入电路来决定。
你好！com/question/202736253。可以看一下这个介绍 挺详细的 http.com/question/202736253基极B流至发射极E的电流叫做基极电流如果对你有帮助，望采纳。
基极B流至发射极E的电流叫做基极电流，一般情况下我们会用基极电流去控制集电极电流。可以看一下这个介绍 挺详细的 http://zhidao.baidu.com/question/202736253.html
电流有正、负极决定

基极电流由什么决定他是怎么产生的

3，此三极管基极电流是多大

这个接法的三极管，集电极与基极同电位且反偏，15.6μA应是漏电流，基极电流应为（5V－0.8V）／1K＝4.2mA
你这个三极管不导通吧，基极跟集电极电位一样啊！
三极管能不能导通、导通程度多大就看基极电流是多大了。具体电流是多大，我没法准确告诉你。一般小信号放大时基极电流都在微安甚至纳安级别，而大功率使用时基极电流也可以高达几安培甚至更大。
发射极电流=（5-0.7）/1000，基极电流=发射极电流/放大系数。
一楼和二楼所计算的不是基极电流，而是发射极电流 。Ie=(V1-0.7)/R2=(5-0.7)/1000=4.3mA而Ie=(β+1)Ib，所以Ib=Ie/(β+1) =4.3mA/(β+1)如果β=100，那么Ib=4.3mA/101=0.043mA=43μA关键就看你的β是多大的了。

此三极管基极电流是多大

4，三极管基极电流的大小由什么影响

三极管基极电流的大小由基极对地电位所决定。所谓偏置电路实际就是调整基极静态电压，这个电压高于发射极0.7V左右（硅材料三极管）三极管就工作在放大区。
三极管基极电流的大小由基极对地电位所决定。　　三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。　　基极电流是载流子在基区扩散与复合形成的复合电流。
三极管能不能导通、导通程度多大就看基极电流是多大了。具体电流是多大，我没法准确告诉你。一般小信号放大时基极电流都在微安甚至纳安级别，而大功率使用时基极电流也可以高达几安培甚至更大。
基极电流=（Ub-Ue）/R就是电压差除电阻。而BE结是遵循二极管特性的，正向怎么击穿。

5，基极电流为什么能起控制作用

三极管的工作原理 三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。
每一种图形都有一些区域，看干什么啦。如果放大基极电流可以把它放置到图形的放大区域里
基极电流对三极管c-e的阻值影响很大，只要有一些变化，就会引起集电极电流的大幅度变化。这是由三极管的特性决定的，从内部结构去分析，简单说是因为基极电流影响了基区附近的电位，从而引起集电极电流的大幅变化。如果用比较形象的比喻，基极电流就相当于控制水闸的水流，只要用不大的水流就可以使水闸上下移动，所控制的就是水闸下方很大的水量变化。

6，基极电流达到多少时三极管饱和比如90139012之类的

这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5ma，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V 。判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。饱和的条件：1.集电极和电源之间有电阻存在 且越大就越容易管子饱和；2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。影响饱和的因素：1.集电极电阻 越大越容易饱和；2.管子的放大倍数 放大倍数越大越容易饱和；3.基集电流的大小；饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压；2.集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右（假设e极接地）。扩展资料：三极管饱和问题总结：1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。2.集电极电阻 越大越容易饱和。3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。参考资料来源：百度百科——基极电流
基极电流达到多少时三极管饱和？这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5ma，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V 这就是9013的特性表：
Uce=Uces，即使在饱和状态下Ube ≈0.7v，9013、9012饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V 。三极管饱和导通时的电流是在外电路的电源和负载驱动下流动的，电流方向由电源正极图负载、三极管的ce极流向负极。因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic（βIb>>Ic），因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL，即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管的饱和电流。三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定，即使电源电压不变，如果集电极电阻改变，饱和电流也会改变，当集电极电阻增大时，三极管的饱和电流减小，当集电极电阻减小时，三极管的饱和电流增大。扩展资料：注意事项：1、使用时工作电压或脉冲峰值应小于三极管的V，反向击穿电压。2、在大功率情况下使用应加相应的散热板。3、挑选三极管时应注意三极管的穿透电流和与之相适应的频率特性。4、由于Cbc的存在，当输入信号的频率过高时，Vout的一部分会经过Cbc反馈到基极，又因为此反馈信号和输入信号有180°的相位差，所以这样也会降低基极的电位，电压增益也由此下降。5、由于半导体制造工艺的原因，三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在，当输入信号频率达到一定程度时，会使得三极管的放大作用大打折扣，还会因此引起额外的相位差。参考资料来源：百度百科-基极电流参考资料来源：百度百科-晶体管饱和区参考资料来源：百度百科-三极管参考资料来源：百度百科-集电极
Vce=VCC（电源电压）-Vc（集电极电压）=VCC-Ic（集电极电流）Rc（集电极电阻）。可以看出，这是一条斜率为-Rc的直线，称为“负载线”。当Ic=0时，Vce=Vcc。当Vce=0时（实际上正常工作时Vce不可能等于0，这是它的特性决定的），Ic=Vcc/Rc。也就是说，Ic不可能大于这个数值。对应的基极电流Ib=Ic/β=Vcc/βRc。这就是饱和基极电流的计算公式。饱和分临界饱和和过度饱和两种状态。当Ib=Vcc/βRc时，三极管基本处于临界饱和状态。当基极电流大于此值的两倍，三极管就基本进入深度饱和状态。三极管深度饱和和临界饱和的Vce差很大。临界饱和压降大，但退出饱和容易；深度饱和压降小但不容易退出饱和。所以，不同用途选择的基极电流是不一样的。还有，饱和压降和集电极电流有直接关系。集电极电阻越小，饱和集电极电流就越大，饱和压降越大。反之也相反。如果集电极电流5毫安时三极管饱和，9013、9012之类的饱和压降一般不超过0.6伏。基极电流超过两倍Vcc/βRc时，一般饱和压降就小到0.3V左右了。具体的可查晶体管手册。如果你手头有某一三极管的输出特性曲线，就可以在此特性曲线上把负载线画出来。它与对应的Ib曲线的交点，就是它在这个电流下的集电极电压。
基极电达到饱合时的电流不是由型号决定的。 它与电路形式与参数有关。只要ib＞ic/β就是饱合的状态。 又 因i/c的大小又与电源压、rc等有关，所以要终合考虑。

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