雪崩击穿

由此产生了一系列结端接技术来消除或减弱球形或圆柱形结的曲率效应，使实际制造的PN结的击穿电压接近或等于理想平行平面结击穿电压,功率为击穿时二极管失去单向导通,直接取决于击穿PN结的电压,2有些地方二极管击穿还能正常工作，有些地方击穿后电路会损坏,引起电的临界电压击穿称为二极管反向击穿电压,这种现象叫电击穿,当PN结反向偏置较高时，会发生碰撞电离引起的电击穿，即雪崩击穿。

1当施加的反向电压超过一定值时，反向电流会突然增大。这种现象叫电击穿。引起电的临界电压击穿称为二极管反向击穿电压。功率为击穿时二极管失去单向导通。如果二极管没有被电过热击穿，则单边导通可能不会永久损坏，去掉外电压后其性能仍可恢复，否则二极管会损坏。因此，使用时应避免二极管施加过大的反向电压。2有些地方二极管击穿还能正常工作，有些地方击穿后电路会损坏。比如一个控制信号驱动一个三极管工作，如果在驱动信号和三极管之间串联一个二极管，在二极管击穿短路的情况下仍然可以正常工作。

PN的结构已经成为几乎所有半导体功率器件的基础。常用半导体功率器件如DMOS、IGBT、可控硅等的反向阻断能力。直接取决于击穿 PN结的电压。因此，PN结的反向阻断特性直接决定了半导体功率器件的可靠性和应用范围。一般认为在PN结两侧掺杂浓度固定的情况下，平行平面结除超结外的击穿电压在所有平面结中最高。

由此产生了一系列结端接技术来消除或减弱球形或圆柱形结的曲率效应，使实际制造的PN结的击穿电压接近或等于理想平行平面结击穿电压。当PN结反向偏置较高时，会发生碰撞电离引起的电击穿，即雪崩 击穿，存在于半导体晶体中的自由载流子被建立在耗尽区的电场加速，其能量不断增加，直到与半导体晶格碰撞。碰撞过程中释放的能量可能破坏价键，产生新的电子-空穴对。