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1，p沟道mos管

GT2301 VDS-20V VGS±12V 启动低压0.4-0.9V 满足你的要求绰绰有余 Q：1291426253 台产原厂销售

p沟道mos管

2，如何使用p沟道mos管

s极一定要接电源+，d极接负载，负载再接地。
太专业了，百度一下
可以到www.alldatasheet.com上面去查具体参数
和N沟的主要差异在于VGS驱动电压的不一样

如何使用p沟道mos管

3，MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢

首先大家要知道一个MOS的内部结构图，MOS管里面其实就是一个稳压二极管。大家都知道二极管是有正向导通阻值的，正向值大约在400-800左右。反向为无穷大！大家可以到搜搜里搜一下MOS管的结构图 找到图之后我们可以看到，一个MOS管的大致结构G极、D极、S极，一、 在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向，P沟道的箭头是向外侧指向的。 二、 在实际测量中我们教大家用外用表测试，MOS管有S极、和D极。这里面由一个稳压二极管组成，既然大家已经知道了二极管的正反向导通阻值就可以方便的测量了。 三、 N沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接S极，黑表笔接D极，测到400到800的阻值就可以判断这个MOS管是N沟道的。四、 P沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接D极，黑表笔接S极，测到400-800的阻值可以判断这个MOS管是P沟道的。本文来自: http://www.duocaipc.com/a/jishuwenzhang/2011/1112/16.html

MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢

4，p沟道增强型mos管的型号有哪些

GT2301 GT3401 GT2305 GT3401沟道是半导体中由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。在场效应晶体管中，源区和漏区之间有一薄半导体层，电流在其中流动受栅极电势的控制。沟道宽度是表 征集成电路集成度的重要标志。商品集成电路中场效应晶体管的沟道宽度已小到0.25微米，每个芯片上包含了7亿多个晶体管。
对不起，不能帮到你，我不知道这是公共问题还是个人求助问题，但是我却收到了，我不是学工程管理也不是技术科学的，所以不能帮到你，我很抱歉，另外，我很希望能多学一些东西，多交一些朋友，为我的人生，增加一些光彩。
你好 GT2301 GT3401 GT2305 GT3401……太多了 台产原厂直销 QQ：1291426253
1.n沟道mos管与p沟道mos管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。应用得最多的是n沟道增强型mos管2.n沟道增强型mos管的工作原理:

5，求推荐一P沟道的MOS管

1. 45P40,VDS =-40V,ID =-50A RDS(ON) <13mΩ @ VGS=-10V,TO-2522. 28P55,VDS =-55V,ID =-30A RDS(ON) <40mΩ @ VGS=-10V,TO-252 。。。还有封装形式要注意。TO220的有IRZ44/60N06，还有一些性价比高的国产MOS管。
推荐（1）NCE40P13S，封装SOP-8， VDS (max) = -40V， ID=-13A，PD(max)=3W，VGS (max)= +/-20V ，RDS(on)(typ)(@10V) <12mΩ ，RDS(on)(typ)(@4.5V) <15mΩ. （2）NCE55P30K 封装TO-252 VDS (max) = -55V ,ID=-30A ,PD(max)=65W,VGS (max)= +/-20V, RDS(on)(typ)(@10V) <30mΩ.
最简单判断方法是n沟道场管是高端门场管 高电平导通 低电平截止 而 p沟道恰恰相反 也就是说n沟道导通条件是vg大于vs 而p沟道是vg小于vs
哪种封装ao4147，OK？

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