1，开关电源MOS管的功率计算方法

MOS管自身的功率 P = VDS * ID，VDS = ID * Rds，Rds是MOS管得导通电阻，可以通过查看芯片手册得知RDS。

开关电源MOS管的功率计算方法

2，MOS管功率放大电路

我要说的都被你说了但是我还是要补充几点弄个电位器在替掉27K电阻调到你满亿 然后拆掉电位器量它的阻折（我的功放前级是电子管的放大倍诉可多不得）然后再找个差不多的电阻就OK了
当然可以用。mos管做开关，前面用一个pwm信号控制它，pwm的脉冲频率不要太高，几百hz到几k足够了。
调节电位器就行了 1K那个

MOS管功率放大电路

3，功率三极管与MOS管的异同

作用一样 都是信号触发引起电流导通区别：三极管 导通电流大，开关频率低 mos管 导通电流小，开关频率高。另外由于mos管的结构，使之自带一个反向二极管。
三极管和MOS管在功能上有很多相似的地方，但是这两种元件有什么区别？用一个电路告诉你
1，MOS管损耗比三极管小2，MOS管为电压驱动型，驱动电路比较简单，三极管为电流驱动型3，MOS管的温度特性要比三极管好

功率三极管与MOS管的异同

4，功率mos管和功率mosfet有什么区别

mosfet的开关作用是针对mos特性得出的，mos管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区，当在可变电阻区和夹断区内工作时，mos管相当于一个电子开关。mos管驱动电路跟mos本身没有必然联系，因为mos管的控制比一般三极管麻烦一些，特别是关断的要求比较高，为了让mos用起来更简单，就出现了驱动电路这类东西。mos管当然不用驱动电路，也完全可以工作。简单的说，驱动电路类似mosfet的服务电路。
一个意思，有时简写就说MOS而已

5，功率场效应管mosfet有哪些

功率场效应管开关电路图：向左转|向右转　　场效应管导通时，漏沟道电阻有几千MΩ。所以，场效应客可以构成比较理想的低频开关。场效应管的极间电容不利于高频信号的隔离，从而增大了响应时间，限制了最高工作频率。　　功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
1、功率mosfet 具有正温度系数，当结温升高时，通态电阻增大，有自限流作用，而gtr的温度特性为负，温度越高，be导通电压越小，电流越大，所以功率mosfet热稳定性要高于gtr。2、多个同参数mosfet可以并联使用，通过其正的温度系数，多管之间可以实现自动均流效果，而gtr不具备这个能力。3、功率mosfet中只有多数载流子参与导电，不存在gtr中的少数载流子的存储效应，因此开关速度快，工作频率高，是目前所有功率器件中工作频率最高的器件之一。4、功率mosfet在开关方式下，其导通时的工作特性处于可调电阻区，器件出现电阻特性，这个通态电阻在大电流条件下，依然会出现较高的管压降，使功率mosfet有较高的自身损耗。而gtr在饱和导通时，管压降与电流关系是非线性的，其增长幅度要低于mosfet，因此在高电压，大电流环境下，gtr的自身损耗要低于mosfet。

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