电导调制效应,什么是电力二极管的电导调制效应

怎么理解电导调制效应?电导调制效应是Webster效应，又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了。以BJT为例电导调制效应又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了，电力电子技术中的电导调制效应是什么?什么是电导调制效应电导调制需效应是Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象；而基区宽度调制效应就是Early效应，是集电结电压变化而致使基区宽度变化、并造成伏安输出特性倾斜、使输出电阻减小的现象；另外，基区宽度展宽效应就是Kirk效应，是在大电流下基区宽度增大的现象。

■IGBT的结构和工作原理◆IGBT的结构☞是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。☞由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT，比VDMOSFET多一层P 注入区，实现对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力。☞简化等效电路表明，IGBT是用GTR与MOSFET组成的达林顿结构，相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。

◆IGBT的工作原理☞IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种场控器件。☞其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。√当UGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。√当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT关断。

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型功率管，是由T(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

非常适合应用于直流电压为及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域.IGBT的工作特性包括静态和动态两类：1．静态特性IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。

方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。方案2用N沟道场管，IRF640N可行。两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。举个例子：做一个场效应管的的开关电路，控制25w24v的电磁铁，电源直流24v，信号电压8v，最低1.7v，信号和输出都是两个，一个离合，一个刹车，交替运行每秒大约5次。

发射极电流集边效应所造成的直接影响就是发射结面不能充分被利用，降低了发射极注射效率，使电流放大系数减小。进一步，还会引起其他一些大电流效应，因为发射结边缘的电流密度很大，则在该附件处就容易出现基区展宽效应和基区电导调制效应等这些大电流下容易出现的问题。由于存在电流集边效应，所以为了增大发射极电流，若只是简单的增大发射结面积的话，那就不可能达到目的；这时应该增加发射极的周长，即要增大发射极的（周长/面积）比值。

但是齿条形的发射极也不能太长、也不能太细。因为作为发射极条的金属总是有一定的电阻，若太长的话，就会在发射极条的纵向产生压降，致使齿条纵向的注入电流不均匀；若太细的话，就会在发射极条的齿条横向产生压降，致使横向的注入电流不均匀。这就是说，若齿条太长或太细的话，都不能有效的利用整个发射极条，难以增大总的发射极电流。

以BJT为例电导调制效应又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了。就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应。当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄。因而载流子在基区复合的机会减小，所以基极电流Ib随集电极反偏电压增大而减小，也就是基区有效电导减小，因此又叫电导调制效应.\r应该修改如下：\r电导调制需效应是Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象；而基区宽度调制效应就是Early效应，是集电结电压变化而致使基区宽度变化、并造成伏安输出特性倾斜、使输出电阻减小的现象；另外，基区宽度展宽效应就是Kirk效应，是在大电流下基区宽度增大的现象。

电导调制效应是Webster效应，又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了。就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应。当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄。当PN结上流过的正向电流较大时，注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，使得其电阻率明显下降，也就是电导率大大增加，这就是电导调制效应。

对器件性能的影响这种大注入使基区电阻率降低（注入越大,降低得越多）的现象，就直接减小了发射结注入效率，使电流放大系数降低。Webstereffect效应对大电流状态下工作的均匀基区晶体管（例如合金晶体管）而言，影响特别严重，这往往就是引起其大电流βo下降的主要原因。

电导调制需效应是Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象；而基区宽度调制效应就是Early效应，是集电结电压变化而致使基区宽度变化、并造成伏安输出特性倾斜、使输出电阻减小的现象；另外，基区宽度展宽效应就是Kirk效应，是在大电流下基区宽度增大的现象。