1,半导体主要有哪些特性

半导体主要有三个特性:1)光敏特性;2)热敏特性;3)掺杂特性。   所谓光敏特性是指某些半导体受到强烈光线照射时,其导电性能大大增强;光线移开后,其导电性能大大减弱。   所谓热敏特性是指外界环境温度升高时,半导体的导电性能也随着温度的升高而增强。   所谓掺杂特性是指在纯净的半导体中,如果掺入极微量的杂质可使其导电性能剧增。

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2,什么是半导体特性

半导体属于导体与绝缘体之间的一种物质,其导电性能随物质参数改变而改变,与其他物质不同的是它有一个PN结,一般情况下半导体都是单向导电性,电流有P区流向N区。半导体又分为本证半导体和参杂半导体,按材料分为硅型和锗型。都具有单向导电性。不同的是,正向导通电压和反向击穿电压不一样,
上面的是抄的!基本来说,半导体只能从一方通如+电,一边-电,而不能反方向来通电,介于导体和绝缘体之间,所以叫半导体.而它们的电阻较大,有些半导体会做成二极管、三极管等,半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。像电脑上的指示灯就是二极管.

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3,半导体的特点

高,小
锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能力介于导体和绝缘体之间,叫做半导体。 半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。 半导体还有一个最重要的性质,如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管等。 把一块半导体的一边制成p型区,另一边制成n型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为pn结。图中上部分为p型半导体和n型半导体界面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为pn结的形成过程,示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为pn结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。
而迁移率随温度的变化相对可以忽略。 正电阻温度系数(简称PTC)的热敏电阻元件。楼上说的一般指前者,迁移率增加,随着温度的升高负电阻温度系数(简称NTC)的热敏电阻元件,电阻率下降

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4,半导体有什么特性

利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件。还有光敏特性,可以制作光敏元件。
锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能力介于导体和绝缘体之间,叫做半导体。 半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。 半导体还有一个最重要的性质,如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管等。 把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为PN结的形成过程,示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。
热敏性,光敏性,导电性 锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能力介于导体和绝缘体之间,叫做半导体。 半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。 半导体还有一个最重要的性质,如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管等。
单向导电性

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