反向饱和电流

这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。结温随着结温的升高，反向饱和电流也会逐渐上升；而反向偏压与反向饱和电流呈正比关系，偏压越大，反向饱和电流越大，为什么把二极管反向截止区的电流又称为反向饱和电流?由于理想二极管的反向电流，例如不存在漏电流的ge二极管的反向电流，该电流是少子的扩散电流，与反向电压无关，即是所谓“饱和”的（不随电压而改变），所以又称为反向饱和电流。

跟Vd有关是因为随着反向电压的增大，势垒抬高，耗尽层变宽，所以被反向抽走的电子和空穴就会增加，所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一定。但是对于硅pn结，反向饱和电流一般在10e14A～10e10A,一般都很小，即使有所增大也不会达到质的变化。所以可称为饱和，饱和的含义就是再怎么增大电压，电流增大的不多的意思。

温度升高的时候，二极管的反向饱和电流是增大的。二极管反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。

故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。

温度升高时二极管反向漏电流是要增加的．这漏电流不会饱和，会引起PN结的结温进一步升高，从而使得反向漏电流更要增加－更发热－更升温－－直到烧毁．。温度越高，PN结的电子运动越快，反向饱和电流越大。增加。由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。

扩展资料：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。

PN结的反向饱和电流主要受到PN结的结构和材料、结温、电压和反向偏压等因素的影响，其中，结构和材料影响最大，PN结的结构精度越高、耐压能力越强，反向饱和电流也会越大。结温随着结温的升高，反向饱和电流也会逐渐上升；而反向偏压与反向饱和电流呈正比关系，偏压越大，反向饱和电流越大。此外，外界微弱的正向电流也会影响PN结的反向饱和电流。

尺寸越小，单位面积上的反向漏电流越大，当反向电压增加时，反向漏电流也会增加；温度升高时，半导体元件的反向漏电流也会增加，反向漏电流会不断增加。此外，半导体材料性质、工艺工艺、封装方式也会对反向漏电流有影响。其次，提高pn结的反向饱和电流与pn结封装材料、两极结型、掺杂水平、结温以及特定环境因素等有关。

通常在微安级。1N4007实际测量结果在20～300微安之间。这项指标的名称应该是反向重复电流，试验条件是：二极管施加1000V反向重复峰值电压，测量其峰值电流值。一般来说，小功率硅二极管的死区电压大概是0.5v，导通电压为0.60.7v，反向饱和电流一般是ua这个数量级。

二极管的反向电流很小，常常称为截止电流。由于理想二极管的反向电流，例如不存在漏电流的ge二极管的反向电流，该电流是少子的扩散电流，与反向电压无关，即是所谓“饱和”的（不随电压而改变），所以又称为反向饱和电流。反向漏电流的大小与组成pn结的半导体材料禁带宽度呈指数关系，反向漏电流还中还包括表面漏电流，表面漏电流的大小与pn结制作工艺密切相关。

你好！电流是指的反向漏电流，当电压再升高时，二极管反向击穿，反向电流就会线性上升。二极管的反向电流很小，常常称为截止电流，由于理想二极管的反向电流，例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流，该电流是少子的扩散电流，与反向电压无关，即是所谓“饱和”的（不随电压而改变），所以又称为反向饱和电流。