光刻胶，光刻胶和光刻机有什么区别

本文目录一览

1，光刻胶和光刻机有什么区别
2，光刻机和光刻胶的区别
3，半导体核心材料光刻胶概述

1，光刻胶和光刻机有什么区别

两者的区别如下：光刻胶是一种特殊的光敏材料，用于在光刻过程中形成图案。光刻胶接收到紫外线光照后会发生化学反应，形成可溶解或不溶解于特定溶剂的区域，从而形成所需的图案。光刻机是用于将光刻胶图案转移到硅片或其他基片上的设备。光刻机通过照射光刻胶并使用光学系统进行图案转移。

光刻胶和光刻机有什么区别

2，光刻机和光刻胶的区别

根据查询爱采购网得知，光刻胶和光刻机的区别如下：1.原理不同：光刻胶是一种化学物质，在光照下发生化学反应，并在显影过程中将发生反应的部分去掉，形成图案。而光刻机则是一种机械设备，它的作用是将光刻胶涂覆到硅片上并进行曝光、显影的过程。两者的原理不同。2.使用场景不同：光刻胶主要用于半导体制造中的光刻工艺，用于制作电路中的图形或类似于光栅的图案。而光刻机是一种应用于半导体制造的设备，它用于将光刻胶均匀地涂覆到硅片表面，并控制曝光的方式完成光刻胶的暴露、显影等工艺。3.制造工艺原理不同：光刻胶的制造工艺主要是化学合成的方法，需要进行一系列的化学反应才能得到所需材料。而光刻机的制造工艺主要还是机械加工的过程，需要精确的机械加工和电子控制。光刻胶和光刻机是半导体制造中不可或缺的工具和材料。它们分别起到将所需的图案转移到硅片表面和将图案加工到硅片中的作用。虽然它们的作用不同，但它们相辅相成，共同完成了半导体制造中的光刻工艺

光刻机和光刻胶的区别

3，半导体核心材料光刻胶概述

半导体核心材料：光刻胶概述如下：光刻胶属于半导体八大核心材料之一，根据全球半导体行业协会（SEMI）最新数据，光刻胶在半导体晶圆制造材料价值占比5%，光刻胶辅助材料占比7%，二者合计占比12%。光刻胶及辅助材料是继硅片、电子特气和光掩模之后的第四大半导体材料。本文主要就半导体核心材料光刻胶及其产业情况进行具体介绍。1、光刻胶定义及主要成分光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，目前被广泛用于光电信息产业的微细图形线路加工制作环节。光刻胶由增感剂（光引发剂）、感光树脂（聚合剂）、溶剂与助剂构成。1）增感剂（光引发剂）：是光刻胶的关键成分，对光刻胶的感光度、分辨率起着决定性作用。2）感光树脂（聚合剂）：用于将光刻胶中不同材料聚合在一起，构成光刻胶的骨架，决定光刻胶的硬度、柔韧性、附着力等基本属性。3）溶剂：是光刻胶中最大成分，目的是使光刻胶处于液态，但溶剂本身对光刻胶的化学性质几乎无影响。4）助剂：通常是专有化合物，主要用来改变光刻胶特定化学性质。2、光刻胶主要分类根据应用领域，光刻胶可分为半导体光刻胶、LCD光刻胶和PCB光刻胶，其技术壁垒依次降低（半导体光刻胶> LCD光刻胶> PCB光刻胶）。从国产化进程来看，PCB光刻胶目前国产替代进度最快，LCD光刻胶替代进度相对较快，而在半导体光刻胶领域国产技术较国外先进技术差距最大。3、光刻胶产业链概况产业链上游：主要涉及溶剂、树脂、光敏剂等原材料供应商和光刻机、显影机、检测与测试等设备供应商。从原材料市场来看，由于中国从事光刻胶原材料研发及生产的供应商较少，中国光刻胶原材料市场主要被日本、韩国和美国厂商所占据。从设备市场来看，中国在光刻机、显影机、检测与测试设备行业的起步时间较晚，且这些设备具备较高的制造工艺壁垒，导致中国在光刻胶、显影机、检测与测试设备的国产化程度均低于10%。产业链中游：为光刻胶制造环节，当前全球光刻胶生产制造主要被日本JSR、信越化学、住友化学、东京应化、美国陶氏化学等制造商所垄断，中国本土企业在光刻胶市场的份额较低，与国外光刻胶制造商相比仍存明显差距。产业链下游：主要涉及半导体、平板显示器、PCB等领域。伴随消费升级、应用终端产品更新迭代速度加快，下游应用领域企业对半导体、平板显示和 PCB制造提出愈加精细化的要求，将带动光刻胶行业持续发展。4、半导体光刻工艺流程光刻工艺历经硅片表面脱水烘烤、旋转涂胶、软烘、曝光、曝光后烘烤、显影、坚膜烘烤、显影检查等工序。在光刻过程中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光、显影与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40-50%，是半导体制造中最核心的工艺。5、半导体光刻胶市场规模随着半导体制程不断缩小，光刻工艺对光刻胶要求逐步提高，需求量也随之增加。从全球市场来看，专注电子材料市场研究的TECHCET预测数据显示，2021年全球半导体制造光刻胶市场规模将同比增长11%，达到19亿美元。从我国情况来看，根据浙商证券预计，2022年中国大陆半导体光刻胶市场空间接近55亿元，其中ArF（干/湿）和KrF光刻胶在我国市场空间分别约为22.55亿元和12.1亿元，其中ArF（干/湿）占比将达到40%。6、半导体光刻胶竞争格局1）全球半导体光刻胶竞争格局根据2019年数据，全球半导体光刻胶前五大厂商占据全球光刻胶市场87%份额。其中日本占有四家，分别是JSR、东京应化(TOK)、信越化学与富士电子材料，这四家的市场份额达到72%，市场集中度明显。在半导体光刻胶细分领域，日本厂商在高端市场具有较强话语权。（1） g/i线光刻胶市场：日本的东京应化、JSR、住友化学和富士胶片分别占据26%、15%、15%、8%的份额，在全球市场占据64%份额。（2）KrF光刻胶市场：日本龙头企业东京应化、信越化学和JSR在全球KrF光刻胶细分市场分别占据 34%、22%和18%份额，合计占比达到74%。（3）ArF光刻胶市场：日本龙头企业JSR、信越化学、东京应化和住友化学包揽前四，分别占据全球 ArF 光刻胶细分市场 25%、23%、20%和15%市场份额，合计市场份额达到83%。（4）EUV光刻胶市场：最先进的EUV光刻胶领域完全被日本企业所主导，日本JSR、东京应化、信越化学成为EUV光刻胶市场可实现量产的厂商。目前引入EUV工艺的仅有三星电子和台积电两家公司。2）中国半导体光刻胶竞争格局受制于国内光刻胶技术发展水平，目前我国高端光刻胶的自给率仍然保持较低水平。尽管国内光刻胶市场保持良好的增长趋势，但以KrF、ArF光刻胶为代表的半导体光刻胶领域国内市场份额仍然较小，高端光刻胶市场长期为国外巨头所垄断。从技术水平来看，目前中国本土光刻胶的整体技术水平与国际先进水平存在明显差距，且主要集中在技术含量较低的PCB光刻胶领域，而在半导体光刻胶和LCD光刻胶方面自给率较低。具体而言，半导体光刻胶中g线/i线光刻胶国产化率为10%，而ArF/KrF光刻胶的国产化率仅为1%，对于最高端的EUV光刻胶目前仍处于研发阶段。目前国内从事半导体光刻胶研发和生产的企业包括晶瑞股份、南大光电、上海新阳、北京科华等。相关企业以i 线、g线光刻胶生产为主，应用集成电路制程为350nm以上。在KrF光刻胶领域，北京科华、博康已实现量产。国内在ArF光刻胶领域产业化进程相对较快的企业为南大光电，其先后承担国家02专项“高分辨率光刻胶与先进封装光刻胶产品关键技术研发项目”和“ArF光刻胶产品的开发和产业化项目”。公司自主研发的ArF光刻胶产品成为国内通过客户验证的第一只国产ArF光刻胶，其他国内企业尚处于研发和验证阶段。

半导体核心材料光刻胶概述