反向饱和电流，半导体二极管的反向饱和电流是什么呀温度的电压当量又是什么
来源：整理 编辑：五合装修 2023-05-24 04:14:58
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1，半导体二极管的反向饱和电流是什么呀温度的电压当量又是什么
反向饱和电流：在二极管两端加上反向电压、反向电压在某一个范围内变化，而此时反向电流恒定。
2，pn结反向饱和电流到底是怎么形成的它的大小跟哪些
跟Vd有关是因为随着反向电压的增大，势垒抬高，耗尽层变宽，所以被反向抽走的电子和空穴就会增加，所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一定。但是对于硅pn结，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A,一般都很小，即使有所增大也不会达到质的变化。所以可称为饱和，饱和的含义就是再怎么增大电压，电流增大的不多的意思。
3，什么是反向饱和电流密度
图4 I-V曲线中A,B,C和D四部分对应的反向饱和电流密度(a)和平均理想因子(b)随温度的变化(a)中插图给出了正负偏压下两个电压扫描方向时反向饱和电流的差别
4，二极管的反向电流是什么意思
二极管的反向电流：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。扩展资料：晶体管的反向电流包括：ICBO和ICEO。1、ICBO：ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。2、ICEO：ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。参考资料来源：百度百科——二极管
5，什么是反向饱和电流
比如说二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好象通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流．其他器件中也有类似的情况．
6，集电极反向饱和电流是什么
三极管发射极开路，集电结反向偏置（Uc>Ub），这时，流过集电结的电流是少子的反向电流，称为反向饱和电流。实质上，就是PN结的反向饱和电流。因为集电极电阻rc是“电源ucc--rc--集电极--发射极--地线”这一个回路中的限制电流的元件，三极管饱和的时候意思就是说集电极电流ics已经达到最大了，不能更大了，这个最大的数字等于ucc/rc，由于rc的限制作用，在这个回路里面符合欧姆定律了，三极管相当于短路了。
7，模电三个反向饱和电流的关系
反向饱和电流通常用来描述发射极开路时，集电极与基极之间的反向漏电流，即Icbo，实际上就是集电结的反向漏电流。穿透电流是基极开路，集电极与发射极之间的反向漏电流，即Iceo，也称集电极－发射极反向饱和电流。该电流由集电区穿过基区到达发射区，因此也称穿透电流。由于发射结此时处于正向状态，而晶体管的电流放大系数为β，所以集电极－发射极反向饱和电流并不是单纯的集电结反向饱和电流，而是Iceo＝（1＋β）×Icbo。Icbo：发射极开路，集电极和基极正向额定电流！ Iceo：基极开路，集电极和发射极正向额定电流！反向电流是指晶体管在截止状态下反方向漏电电流！若施加在n区的电压高于p区的电压，将形成极其微弱的漂移电流，并且这个电流不随反向电压的增大而变化。这种状态称为pn结“反向偏置”，且产生的极其微弱、不随外加电压改变的电流称为“反向饱和电流”。由于反向饱和电流很小，pn结处于截止状态，所以外加反向电压时，pn结相当于断路。电流由n区流向p区，称为反向电流。当加在pn结上的反向电压超过一定数值时，pn结的电阻突然减小，反向电流急剧增大，这种现象称为击穿。电击穿击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿且都是可逆的。发生热击穿后，pn结不再具有单向导电性，导致二极管发生不可恢复的损坏。利用齐纳击穿制作的稳压二极管，称为齐纳二极管。
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