pin光电二极管，PIN光电二极管的结构

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1，PIN光电二极管的结构
2，PIN二极管的介绍
3，试比较pin高速光电二极管与普通光电二极管的性能谁更优越

1，PIN光电二极管的结构

在P型半导体和N型半导体之间夹着一层本征半导体。因为本征层相对于P区和N区是高阻区这样，PN结的内电场就基本上全集中于 I 层中。

1550nm的接收雪崩管有面积0.8m的,这个面积很小,噪音不会很大,pin管的转换效率各个厂家的都不一样,而且每个厂家的产品也有高低端不同的,看你的要求了,osram,osi跟hamamatsu的管子应该有能满足你要求的.pin管才是不适合探测非常微弱的光信号,他的响应灵敏度非常弱,比雪崩管差很多,如果真的是非常微弱的光信号,建议用雪崩管,不过成本比较高.上面回答的∴想要变亮最好别用它“雪崩二极管”,是什么意思,我没弄明白,而且所说的10ghz是指的哪一款管子?响应速度快也是个疑问,跟雪崩管比较?如果是跟雪崩管比较的话,不可能有响应速度快的说法,供电电压低是肯定的,但稳定,就不一定了,他应该是没有正确使用雪崩管得出的结果.

PIN光电二极管的结构

2，PIN二极管的介绍

普通的二极管由PN结组成。在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层，组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN 二极管。正因为有本征(Intrinsic)层的存在，PIN 二极管应用很广泛，从低频到高频的应用都有，主要用在RF领域，用作RF 开关和RF保护电路，也有用作光电二极管(PhotoDiode)。PIN 二极管包括PIN光电二极管和PIN开关二极管。

微波开关利用pin管在直流正-反偏压下呈现近似导通或断开的阻抗特性,实现了控制微波信号通道转换作用. pin 二极管的直流伏安特性和pn结二极管是一样的，但是在微波频段却有根本的差别。由于pin 二极i层的总电荷主要由偏置电流产生。而不是由微波电流瞬时值产生，所以其对微波信号只呈现一个线性电阻。此阻值由直流偏置决定，正偏时阻值小，接近于短路，反偏时阻值大，接近于开路。因此pin 二极对微波信号不产生非线性整流作用，这是和一般二极管的根本区别，所以它很适合于做微波控制器件。因此，可以把pin二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。

PIN二极管的介绍

3，试比较pin高速光电二极管与普通光电二极管的性能谁更优越

"PIN型二极管"和"普通二极管"的不同之处：普通的二极管是由PN结组成。在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征半导体层，组成的这种P-I-N结构的二极管就是"PIN 二极管"。正因为有本征层的存在，所以PIN 二极管应用很广泛，从低频到高频的应用都有，主要用在RF领域，用作RF 开关和RF保护电路也有用作光电二极管。"PIN 二极管"包括PIN光电二极管和PIN开关二极管。 PIN 二极管的直流伏安特性和PN结二极管是一样的，但是在微波频段却有根本的差别。由于PIN 二极I层的总电荷主要由偏置电流产生。而不是由微波电流瞬时值产生，所以其对微波只呈现一个线性电阻。此阻值由直流偏置决定，正偏时阻值小，接近于短路，反偏时阻值大，接近于开路。因此PIN 二极对微波不产生非线性整流作用，这是和一般二极管的根本区别，所以它很适合于做微波控制器件。这个其实不是很复杂的可以到硬之城上面看看有没有这个型号有的话就能在上面找到它的技术资料

pin型光电二极管也称pin结二极管、pin二极管，在两种半导体之间的 pn结，或者半导体与金属之间的结的邻近区域，在p区与n区之间生成i型层，吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。　　工作原理　　在上述的光电二极管的pn结中间掺入一层浓度很低的n型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征（intrinsic）半导体，故称i层，因此这种结构成为pin光电二极管。i层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在i层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在i层两侧是掺杂浓度很高的p型和n型半导体，p层和n层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。

试比较pin高速光电二极管与普通光电二极管的性能谁更优越