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1，热激发是啥意思

热激发是指半导体晶体中的原子振动产生的热能使得能带电子发生跃迁过程，可以看成是一个固体中的粒子反应。

热激发是啥意思

2，光激发和热激发的区别是什么

热激发指激发热辐射，而热辐射主要是红外长波低频辐射，比可见光的频率要小。而E=hv，因此“热激发的能量要小于光激发的能量”

光激发和热激发的区别是什么

3，什么叫热激发

半导体晶体中的原子振动产生的热能使得能带电子发生跃迁过程，可以看成是一个固体中的粒子反应。
半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发

什么叫热激发

4，heat怎么读

heat 英[hi:t] 美[hit] n. 热，热度，高温;热烈，激烈;（身体的）发烧，发热;发情 vt.&vi. 使温暖，使热;激发…的感情，使兴奋 第三人称单数:heats;过去分词:heated;名词复数:heats;现在分词:hea... [例句]products are cleaned before heat treatment.产品在加热前进行清洗。
heat [hi:t],黑特希望能帮到你，不明还可以追问的记得采纳哟，，嘻嘻！

5，PN结在热激发下如何变化主要是宽度变化

对于N型半导体，自由电子是多数载流子（多子）——杂质原子提供，空穴是少数载流子（少子）——热激发形成；而P型半导体，空穴是多子——掺杂形成，自由电子是少子——热激发形成。多子的数量与掺杂浓度有关，高掺杂则多子数量多。P型半导体和N型半导体中间的空间电荷区就是PN结，因为其缺少多子又称耗尽层。高掺杂时耗尽层两端的浓度差大，多子的扩散运动剧烈，空间电荷区理论上加宽，但是空间电荷区产生的内电场导致少子的漂移运动也剧烈，空间电荷区又要变薄，最终要达到动态平衡，所以相比低掺杂时达到动态平衡所需时间更短，载流子运动距离短，电子和空穴很快就复合了，耗尽层也就窄了。“齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场”，前面已经说过高掺杂，耗尽层宽度（d）小，将其看成平行板电容器，内电场E=U/d，所以E很强，直接打断共价键。第二问：齐纳击穿，掺杂浓度高，内电场强，利用这一性质做成了稳压管；雪崩击穿，掺杂浓度低，碰撞电离，就像滚雪球的倍增效应，利用这一性质做成了整流二极管。两者都属于电击穿，一定条件下是可逆的。
pn结 采用不同的掺杂工艺,将p型半导体与n型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称pn结。pn结具有单向导电性。 pn结 （pn junction） 一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是p型半导体，另一部分掺有施主杂质是n型半导体时 ，p 型半导体和n型半 导体的交界面附近的过渡区称。pn结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 pn 结叫同质结 ，由禁带宽度不 同的两种半导体材料制成的pn结叫异质结。制造pn结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质 结通常采用外延生长法。 在 p 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电 离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。n 型半导体中有许多可动的负电子 和固定的正离子。当p型和n型半导体接触时，在界面附近空穴从p型半导体向n型半导体扩散，电子从n型半导体向p型半 导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的 带电的固定离子，称为空间电荷区 。p 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，n 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负 离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。 在pn结上外加一电压 ，如果p型一边接正极 ，n型一边接负极，电流便从p型一边流向n型一边，空穴和电子都向界 面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果n型一边接外加电压的正极，p型一边接负极，则空穴和 电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是pn结的单向导性。 pn结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外 电路不能限制电流，则电流会大到将pn结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧 道击穿和雪崩击穿。 pn结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。 根据pn结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利 用pn结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用 高掺杂pn结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与pn结相结 合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极 管；利用光辐射对pn结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个 pn结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能 。pn结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电 子技术的基础。在二级管中广泛应用。

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