基极电流,s8050基极电流

三极管电流之间的关系是发射极电流集电极电流 基极电流。把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic，即发射极电流等于集电极上的电流与基极电流之和，这就是三极管中的三个电极上的电流分配关系，三极管基极电流的大小由基极对地电位所决定。

三极管的工作原理:三极管是电放逐大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。

IbIeIc2.0220.02mA电流放大倍数：Ic/Ib2/0.02100倍。在三极管的放大电路中，根据基尔霍夫定律，我们可以得到以下公式：lcβ×lb le其中，lc是集电极电流，le是发射极电流，lb是基极电流，β是三极管的电流放大倍数。将lc2mA和le2.02mA代入公式中，得到：2mAβ×lb 2.02mA化简得到：β×lb0.02mA因为β是一个正数，所以0.02mA对应一个负的基极电流。

三种可能，一种情况是共集电极组态（射极输出器）时，e极电压为12vvbe，约等于11.3v，c极电压等于电源电压；第二种是共射极组态时，e极串接有电阻而管子处于饱和导通状态，这时e12vvbe，c极电压接近于e极电压；第三种情况基本条件与第二种相同，但属于大电流放大器，这时e仍等于12vvbe,c极电压则等于vccic*rc。

发射极电流集电极电流 基极电流。即发射极电流等于集电极上的电流与基极电流之和，这就是三极管中的三个电极上的电流分配关系。发射极和集电极电流基本上是一样的，而基极电流和发射极电流是倍数关系，即发射极电流是基极的若干倍，而这个倍数是各个三极管会有不同的，小到几倍、十几倍，大到几十倍、二三百倍都有。

当然可以忽略，基极电流微乎其微，pnp管也是一样的，一般情况下可以不纳入计算。基极电流在模拟电子线路中满足一定条件时是可以忽略，不管是什么管子类型。NPN型和PNP型管子只是外接电压极性和电流流向不同，在电路分析和数据计算时区别不大，没有什么特别需要注意的。

三极管基极电流的大小由基极对地电位所决定。所谓偏置电路实际就是调整基极静态电压，这个电压高于发射极0.7V左右（硅材料三极管）三极管就工作在放大区。基极电流（UbUe）/R就是电压差除电阻。而BE结是遵循二极管特性的，正向怎么击穿。三极管基极电流的大小由基极对地电位所决定。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

其一集电极最大允许电流ICM，使用晶体不得超过此电流值;其二集电极发射极击穿电压BUceo，即基极开路时，加于集电极与发射极的最大允许电压。否则导致管子击穿。其三集电极最大允许耗散功率PM，由于集电极电流在集电极产生热量，使结温升高，超过这一功耗，晶体管可能损坏。三极管基极电流是很小的，根据三极管在不同的工作场合，这个基极电流的数值略有不同，一般只有几毫安。

这是由三极管的特性所决定的。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。