本文目录一览

1，晶体管输出和晶闸管输出有什么区别

晶体管起的是放大作用，晶闸管起的是开关作用，有本质的区别。

{0}

2，晶体管输出和继电器输出有什么区别

你说的是晶体三极管吗，当然有区别，继电器是一个开关，小电流控制继电器的通断，晶体三极管也具备开关功能，除去速度的问题，晶体三极管还有放大的作用，就是控制晶体管的电流大小会影响晶体管输出电流的大小

{1}

3，晶体管输出的PLC和开关量输出的PLC有什么区别

晶体管输出和继电器输出都是开关量，基本上都是用来控制接触器的通断，晶体管带负载不产生电火花，寿命长一点，但使用有局限性，继电器是金属触点会产生电火花，用途广泛一些。
晶体管输出可以输出高频信号，且使用寿命长，是伺服放大器的关键输入信号。而开关量输出就是普通的继电器输出，他的特点是负载电流大，可直接输入强电信号。
开关量输出的有晶体管和继电器，晶体管输出的截止时和继电器输出的有耐压区别，导通时有电流大小的区别，其次就是继电器输出的导通时电阻为零，晶体管输出的有点电阻。

{2}

4，晶体管输出与继电器输出的区别

PLC晶体管输出响应快，可以用于高速输出，但是控制电磁阀等还是需要加中间继电器；继电器输出响应慢，但是可以省去外接继电器，接线简单。具体选用什么输出要视负载情况而定。 晶体管主要用于定位控制，要用晶体的输出来发出脉冲。而继电器是不能用发出脉冲的，也就不能定位控制了。如果用继电器去控制定位伺服或是步进的话就还要加定位模块，经济上不划算。而用一个晶体管输出的就可以控制伺服等。就这么回事。 虽然二者都是控制器件，但晶体管输入和输出没有电隔离，而继电器是电隔离的，在体积有限制的时候，响应时间要很短的时候，都往往采用晶体管控制，而在电压比较高，电流比较大，要注意人身安全时，往往用继电器……

5，晶体三极管的输出特性指什么概念

三极管的输出特性是指当基极电流Ib一定时，集电极电流Ic与集-射极电压Uce之间的关系曲线。在不同的Ib下，可得出不同的曲线，所以三极管的输出特性是一组曲线。通常把输出特性曲线分为三个工作区： (1)放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区,Ic＝Ib×β,由于在不同Ib下电流放大系数近似相等，所以放大区也称为线性区。三级管要工作在放大区，发射结必须处于正向偏置，集电结则应处于反向偏置，对硅管而言应使Ube>0，Ubc<0。 (2)截止区：Ib＝0的曲线以下的区域称为截止区。实际上，对NPN硅管而言，当Ube＜0.5V时即已开始截止，但是为了使三极管可靠截止，常使Ube≤0V，此时发射结和集电结均处于反向偏置。 (3)饱和区：输出特性曲线的陡直部分是饱和区，此时Ib的变化对Ic的影响较小，在饱和区，Uce＜Ube，发射结和集电结均处于正向偏置.
输出特性是针对输特性而言，指三极管输出极也就是UCE和IC之间的关系，一般用一组曲线表示，在线型放大区域UCE达到一定值后Ic不再随之变化，而是由IB控制。当IC达到一定值后使UCE
晶体三极管输出特性的基本概念是：当基极电流Ib固定在某一数值，改变集电极与发射极之间的电压Uce，则集电极电流Ic也作相应变化。这种在一定基极电流下，集电极与发射极之间的电压Uce与集电极电流Ic之间的对应关系称为输出特性。
晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“v”或“vt”（旧文字符号为“q”、“gb”等）表示。 晶体管是内部含有两个pn结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 一、晶体管的种类 晶体管有多种分类方法。 （一）按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗npn型晶体管、锗pnp晶体管、硅npn型晶体管和硅pnp型晶体管。 （二）按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 （三）按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 （四）按工作频率分类 晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 （五）按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 （六）按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 二、晶体管的主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 （一）电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流ic与基极电流ib的比值，一般用hfe或β表示。 2．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△ic与基极电流变化量△ib的比值，一般用hfe或β表示。 hfe或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 （二）耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率pcm，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过pcm值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率pcm小于1w的晶体管称为小功率晶体管，pcm等于或大于1w、小于5w的晶体管被称为中功率晶体管，将pcm等于或大于5w的晶体管称为大功率晶体管。 （三）频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率ft和最高振荡频率fm等。 1．特征频率ft 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。 通常将特征频率ft小于或等于3mhz的晶体管称为低频管，将ft大于或等于30mhz的晶体管称为高频管，将ft大于3mhz、小于30mhz的晶体管称为中频管。 2．最高振荡频率fm 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。 通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率ft则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。 （四）集电极最大电流icm 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流ic超过icm时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。 （五）最大反向电压 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。 1．集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用vceo或bvceo表示。 2．集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用vcbo或bvcbo表示。 3．发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用vebo或bvebo表示。 （六）反向电流 晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流icbo和集电极—发射极之间的反向击穿电流iceo。 1．集电极—基极之间的反向电流icbo icbo也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。icbo对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2．集电极—发射极之间的反向击穿电流iceo iceo是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“v”或“vt”（旧文字符号为“q”、“gb”等）表示。晶体管是内部含有两个pn结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 三极管详解半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个pn结构成的，而三极管由两个pn结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是npn型的三极管，另一种是pnp型的三极管。

文章TAG：晶体管  输出  晶闸管  有什么  晶体管输出  
下一篇