发光芯片,led芯片是用什么材料做的
来源:整理 编辑:五合装修 2024-04-27 17:57:09
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1,led芯片是用什么材料做的
LED是用硅等半导体材料做的。 LED 是英文 light emitting diode (发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料芯片,用银胶或白胶固化到支架上,然后用银线或金线连接芯片和电路板,然后四周用环氧树脂密封芯片是硅材料做的,不知道问这个有什么用途。贞亮ANDON,企业精益生产好帮手
2,LED芯片是什么
LED芯片是一种固态的半导体器件,就是一个P-N结,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。芯片如gaas(砷化镓)、gap(磷化镓)、gaasp(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是pn结。led是发光二极管。LED芯片就是用发光二极管做成的光源。这种光源耗能少,环保无污染,使用寿命长。LED芯片就是发光二极管里面那个发光的东西,它决定了LED的性能质量,如颜色,电流,压降,功率,寿命等。
3,什么是LED 芯片
led芯片,也称为led发光芯片,是led灯的核心组件,也就是指的P-N结。其主要功能是:把电能转化为光能,芯片的主要材料为单晶硅。 半导体晶片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。led在最初是被当作一种发光元件而生产的,因此,led技术生来就和光明结下了不解之缘。而目前存在的各种led产品,也可以按照用途的不同,大致可以分为:led指示/照明设备和led显示成像设备两大类。 目前用量较大的有广告电子幕墙、微型手电筒、仪表面板工艺制作等领域。
4,led 贴片例如3528的结构及工作原理是什么叩谢了
3528贴片led结构是由,碗杯(即白色的能看到led外观),发光芯片,金线(导线连接芯片的正极到碗杯上,荧光粉(只有白光的有其它颜色没有此物),AB胶。LED(Light Emitting Diode),发光二极管,它是一种固态的半导体器件,可以直接把电转化为光。LED的发光芯片是一个半导体的晶片,晶片的一端通过银胶固定在3528碗杯上,一端是负极,另一端连接电源的正极,通过金线连接在3528碗杯上。半导体晶片由三部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子,中间通常是1至5个周期的量子阱。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子和空穴就会被推向量子阱,在量子阱内电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。如果是白光,用蓝光晶片,在碗杯里面点荧光粉 这种是蓝光激发荧光粉而发出的白光
5,什么是LED 芯片
LED芯片又称为LED 发光芯片,是LED 灯的核心组件,也就是指P-N 结。其主要功能是:把电能转化为光能,芯片的主要材料为单晶硅。 有关LED芯片和LED灯具方面的问题,请咨询:金普瑞 高级工程师led light emitting diode(发光二极管)的缩写。是一种固态的半导体器件 ,它可以直接把电转化为光。led的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成,一部分是p型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是n型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个p-n结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向p区,在p区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是led发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成p-n结的材料决定的。
6,LED芯片是什么东西
根据您的提问,简单地讲: 它也称为led发光芯片,是led灯的核心组件,其主要功能是:把电能转化为光能,主要材料为单晶硅。
led芯片的分类
用途:根据用途分为大功率led芯片、小功率led芯片两种;
颜色:主要分为三种:红色、绿色、蓝色(制作白光的原料);
形状:一般分为方片、圆片两种;
大小:小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等
1.MB芯片定义与特点
定义﹕
MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着)芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
特点﹕
1、 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易.
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ~ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收.
3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍),更适应于高驱动电流领域。
4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB
2.GB芯片定义和特点
定义﹕
GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合)芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
特点﹕
1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图
3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
3.TS芯片定义和特点
定义﹕
TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。
特点﹕
1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED
2. 信赖性卓越
3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
4.应用广泛
4.AS芯片定义与特点
定义﹕
AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底)芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.
大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特点﹕
1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
2. 信赖性优良
3. 应用广泛
发光二极管芯片材料磊晶种类
1、LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2 、VPE:Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
3 、MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
4 、SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5 、DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure, (双异型结构) GaAlAs/GaAs
6、 DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure, (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
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