三极管特性,二极管的种类及型号

三极管的频率特性,如何看三极管的特性?三极管具有什么特性半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。三极管的频率特性.怎理解啊?晶闸管二极管三极管的共同特性急用都是半导体元件，都是非线性元件！光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的，三极管的输入输出特性要怎么理解电路中三极管输出特性也很简单，看看就懂了，这是基础，建议掌握。

以下内容来自百度百科，讲的已经很详细了，如果还有不明白的，可以追问：1、光谱特性光敏三极管由于使用的材料不同，分为锗光敏三极管和硅光敏三极管，使用较多的是硅光敏三极管。光敏三极管的光谱特性与光敏二极管是相同的。2、伏安特性光敏三极管的伏安特性是指在给定的光照度下光敏三极管上的电压与光电流的关系。3、光电特性光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流IL与光照度之间的关系。

4、温度特性温度对光敏三极管的暗电流及光电流都有影响。由于光电流比暗电流大得多，在一定温度范围内温度对光电流的影响比对暗电流的影响要小。下两图中分别给出了光敏三极管的温度特性曲线及光敏三极管相对灵敏度和温度的关系曲线。5、暗电流ID在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。

电路中三极管输出特性也很简单，看看就懂了，这是基础，建议掌握。三极管的输入特性：该曲线表示当e极与c极之间的电压Uec保持不变时，输入电流（即基极电流Ib）和输入电压（即基极与发射极间电压Ueb）之间的关系曲线，如下图所示：从曲线中可看到，当Uec0时，晶体三极管的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性相同，这是因为此时发射结和极电结都正向偏置，三极管相当于两个PN结的同向并列。

当Uec增加到1伏以后再继续增加，因发射极电流绝大部分已经流进集电极，Ib就不再减小了，所以图中的②和③曲线基本上重合，通常Uec〉1伏时只用一根线来表示。从图中可以看出，三极管在正常工作时，Ueb是很小的，仅有零点几伏。如果Ueb太大了会使Ib剧烈增加而损坏三极管，一般情况下，硅管发射结电压Ube在0.7伏左右，锗管发射结电压Ueb在0.3伏左右。

我只会第四个：ICEO反向电流，此时B脚要悬空，在CE之间加一个电压（但要保证不能超过CE击穿电压），看这时CE之间的电流有多大。简要的把你提的问题回答一下。1.在工作频率升高时，三极管电流放大倍数下降主要是两个原因：级间电容（PN结电容效应）和基区电荷存储效应。这两种均表现为电容效应。以CB间的电容效应为例，简单的说，在高频情况下，Ib等于有了一个分流支路，不仅电流放大倍数减小，相位关系也会出现变化。

但组成放大电路之后，其电路的电压放大倍数会减小。主要原因是信号耦合电容在低频下容抗增大所致。3.多级放大时必须注意前级的“输出电阻”和后级的“输入电阻”问题（其实应为输出、输入阻抗）。如果电路的主要作用是“电压放大”，则希望前级的输出电压尽可能的都传输给后级，但若后级的输入电阻小于前级的输出电阻，则后级输入端得到的信号电压，将不及“信号源”内阻上的电压高。

因频率过高所致的频率响应下降、放大倍数降低等相关参数的变化。三极管的频率特性是指三极管对不同频率的信号的放大能力，通常低频没有问题，主要指高频。三极管的频率特性好，就是对于较高的频率也有较大的放大能力。通常把放大能力降低到0.7时的频率称为截止频率。三极管的频率特性好，价格也较贵，所以应该按工作频率需要选择。

三极管的特性曲线图分为四个区：饱和区、放大区、截止区、击穿区。一般讨论比较多的是前三个区。三极管的的工作点进入饱和区，三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。可以这样理解：三极管进入饱和区失去线性放大作用时可以认为三极管处于饱和状态（Q1）；三极管完全推动放大作用时三极管处于深度饱和状态（Q3）。关于三极管的饱和压降Vce（sat）是有重要条件的，就是在一定的IB和IC的条件下的Vce（sat）。

都是半导体元件，都是非线性元件！都有单向导通特性〔不包括双向晶闸管〕都有自己特有的触发电压，截止电压。开关特性吧。二极管工作原理（正向导电，反向不导电）晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。

三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观如图，大的很大，小的很小。三极管的电路符号有两种：有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。

三极管的温度特性：1、温度对放大倍数β的影响：三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。2、温度对反向饱和电流ICEO的影响：ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。

3、温度对发射结电压ube的影响：和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，ube将下降2～2.5mV。知识点延伸：三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

三极管的主要特点是具有电流放大功能，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。