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1，闪存芯片与内存芯片的区别

举个例子，就像海尔，出电脑也出家电，意思一样，出内存颗粒的也可以出闪存颗粒啊。但实际上内存与闪存有本质区别，内存是高频率快速的存储器件，通电工作，断电则所有数据清空。而闪存类似于硬盘，属于数据存储模块，不需加点也可以保存数据完整。

闪存芯片与内存芯片的区别

2，nand闪存的nand什么意思

NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。
n85 2600的钱..买了2100的n95？？----nand是 闪存芯片...n95 8g内置就是..n85没有啊..那即使m的不算nand...nand都是按g算的

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3，请问闪存芯片就是手机内存还是硬盘

flash闪存芯片在手机上属于存储器，用于存数据的，内存是用来缓存的，不作数据存储。因此一般用RAM来只手机运行内存，用ROM表示手机的flash存储器。看明白了吗？
1. 淘宝当然能买到，关键要会搜吧。2. 大的电子市场（比如华强北）当然能买到， 但找东西累死你。3. 懂电子的话，也可以上rs网站采购哟。

请问闪存芯片就是手机内存还是硬盘

4，什么是3D VNAND

3D V-NAND这是作为闪存芯片（NAND)制造的新技术，3D V-NAND主要从结构方面对闪存芯片进行了改进。在之前的闪存芯片中，采用的都是2D平面设计的存储单元（Cell）技术。使用3D V-NAND技术之后，则将闪存芯片中的晶体管竖了起来，然后用绝缘体和控制栅极环绕包围这这些晶体管，这样就形成了一个“站立”起来的同轴结构体。将这些同轴结构体一层层向上堆叠，形成多层结构，就构成了3D V-NAND的基本形态。
亲 你是要问3d v-nand技术吧，这个技术是由三星首先用于ssd上的，在850evo/pro上都用了3d v-nand技术，出了容量的提升之外，速度也有提升。3d v-nand是从平面转向立体的一个巨变，也是三星公司的一个巨大的创新。

5，FLASH闪存芯片怎么使用啊

闪存就是Flash Memory，断电也可以保存数据，相当于一组芯片，硬盘就相当于我们目前在用的电脑上的盘了。闪存存取比较快速，无噪音，散热小。你买的话其实可以不考虑那么多，同样存储空间买闪存。如果硬盘空间大就买硬盘，也可以满足你应用的需求。闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。
闪存芯片不需要供电，需要供电的是内存那种闪存。你看到u盘、sd卡等储存卡需要供电吗？原理如下：要讲解闪存的存储原理，还是要从eprom和eeprom说起。eprom是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式mos电路，简称为famos。它与mos电路相似，是在n型基片上生长出两个高浓度的p型区，通过欧姆接触分别引出源极s和漏极d。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在sio2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使mos管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，mos管不导通，即存入1。eeprom基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与eprom相似，它是在eprom基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压vg。若vg为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使vg为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。闪存的基本单元电路，与eeprom类似，也是由双层浮空栅mos管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与eeprom相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与eprom相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。 到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1t）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。

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